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电力电子器件中开关速度（开关速度定义）

发布时间：2023-07-08
阅读量：34

本文目录一览：

电力二极管的主要类型中,哪种二极管开关速度最快

肖特基二极管开关速度最快，50ns以下。耐压低，一般都是200V以下。漏电电流比较大，mA级。正向压降小，0.3~0.7V。

其主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode--SBD），简称为肖特基二极管。

半导体二极管导通时相当于开关闭合（电路接通），截止时相当于开关打开（电路切断），所以二极管可作开关用，常用型号为1N4148。

开关二极管的特性叫开关速度快、开关时间特短，频率高、频带宽因而是理想的开关二极管。

开关二极管：开关二极管开关速度高，即应用频率高。开关二极管高频性能良好，主要用于开关电路作为电子开关使用。整流二极管：整流二极管用在工频大电流领域。

变压器绕组光纤测温

1、光纤测温技术在这些领域中有着绝对优势，因为它既无导电部分引起的附加升温，又不受电磁场的干扰。高压电器的温度测量。最典型的应用是高压变压器绕阻热点的温度测量。

2、干变就采用在线圈端部放入温度计探头，这是检测变压器在运行时的线圈温度，不能作为线圈温度考核是否合格的方法。在油浸变压器里要埋温度计探头，就比较麻烦，它可以检测到探头那一点的温度。常常用来检测变压器线圈的最热点温度。

3、测温范围满足-30~150℃，测温精度满足+1℃(满量程+1%），显示分辨率满足0.1℃。温度传感器需与变压器本体一同进行工频耐压、短时电流、局放等试验。

电力场效应管MOSFET是什么现象

1、场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型半导体器件。

2、场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

3、MOSFET多为功率场效应管。是晶体管的一种。

4、MOSFET在没有电压的情况下是关闭状态。 当栅极与源极之间的电压小于阈值电压时（也称为门限电压），栅极不能控制沟道中的电子（或空穴）流动。

5、MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其工作原理按导电沟道可分为P沟道和N沟道。

6、MOSFET就是以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。

IGBT与MOSFET的开关速度比较?

1、IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。

2、mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。

3、由于GTR的特点是功率容量（电流耐力和电压耐力）大，开关速度慢。而MOSFET的特点是，功率容量小，开关速度快。而IGBT的特点是介于二者之间的。就是说IGBT的特点是功率容量较大，开关速度较快，能力比较综合。

4、IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。

全控器件开关速度

全控型器件：输入阻抗高，驱动电路简单，需要的驱动功率小；开关速度快，工作频率高；热稳定性优于GTR。半控型器件：其伏安特性类似二极管的反向特性；晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流通过。

GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 。

开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。

它有点在于输入阻抗高，属电压型控制器件，可以直接与数字逻辑电路连接，且驱动电路简单，功耗小。 开关速度快，约是GTR的10倍，而且开关功耗小。

材料不同：　IGBT为全控型器件，SCR为半控型器件。控制方式不同：　SCR是通过电流来控制，IGBT通过电压来控制。SCR需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断。

功率开关器件 PWM整流器的基础是电力电子器件，其与普通整流器和相控整流器的不同之处是采用了全控型器件。目前在PWM整流器中得到广泛应用的电力电子器件主要有如下几种。

电力mosfet为什么开关速度快

1、因功率MOSFET具有开关速度快，峰值电流大，容易驱动，安全工作区宽，dV/dt耐量高等优点，在小功率电子设备中得到了广泛应用。

2、MOSFET的栅极存在结电容，负压有利于更快的为结电容存储的电荷Qg，提供释放回路，从而加快开关速度。但是过快的开关速度会影响EMI。

3、等效电容相对于开关电路来说是可以忽略的（除非频率特别高），MOS管属压控原件，对于一般开关电路开关速度应该差不多。

4、可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件，静态时几乎不需输入电流。

5、，P-MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，它的显著特点是驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高。但是其电流容量小，耐压低，只用于小功率的电力电子装置，其工作原理与普通MOSFET一样。

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