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1、MOS管全称是MOSFET，也就是金属绝缘栅型场效应管，是场效应管的一种。
2、MOS管和场效应管其实是一样的，所以其作用也一样。但在具体电路中，每一个电子元件都会有一定的差异存在。所以要具体电路具体分析。具体条件具体设计。
3、偷偷的告诉你，这就是一个意思。没任何区别。
4、冒死管就是MOSFET（金属-氧化层-半导体-场效晶体管）。在中国人们说的MOS的意思是Metal-Oxide-Semiconductor（金属-氧化层-半导体）。
5、mosfet是指场效应管，它也是一种晶体管，它在任何地方使用或者放在仓库里躺着，都叫“场效应管”可见它的名称是固定的。也有许多电源根本不用场效应管，而用普通大功率晶体管。
1、MOS管是集成电路中的绝缘性场效应管。它的三个极分别是：栅极、漏极和源极。栅极简称为G；源极简称为S；漏极简称为D。
2、三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。
3、MOS管：MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。
4、但是栅极对源极和漏极一定是不导通的，MOS管也一样，MOS管也是场效应管的一种，只是输入阻抗更高而已。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。
电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS都属于受控放大的电子器件。工作原理各不相同：电子管，由发热灯丝发射电子，靠高压吸引电子、栅极控制发射电子的能力，属电压控制电流型器件。
晶体管的三个管脚中有一个（基极）是对其他两脚（发射极和集电极）都能单向导通的，而场效应管没有这样的管脚，场效应管的栅极无论和源极还是漏极之间的电阻都是极大，用万用表几乎测不出来，类似绝缘。
MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。
当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。
N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。
p沟道耗尽型mos管在恒流区条件 可变电阻区就是栅级电压过了Th阈值，但是还没有完全导通的这个阶段，也就是米勒阶段 而恒流区是指栅极电压过了米勒阶段。
可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0。n沟道耗尽型mos管的可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0，此时为截止区。vdsvgs-vtn和vgs≥vtn，此时为可变电阻区。
1、以NMOS三极管为例，把源极S和衬底接地，在栅源间加上正电压Vgs，即在栅极和衬底之间形成的电容上加上正电压，则衬底表面将感应出负电荷来。
2、电路中效应管g和s短接原理是：短接G、S三只电极，泄放掉G-S极间等效结电容在前面测试过程中临时存储电荷所建立起的电压UGS。双向稳压管，是起保护作用的，也不可避免的有一些漏电流，会慢慢地放掉栅源电容存储的电荷。
3、首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。
4、短接可以使得贴片mos管的工作状态被改变。当两个端子被短接时，电流会直接流过短接处而不会通过管子内部的结构。3 注意，在进行短接操作之前，需要确保没有电压或者电流通过管子内部。
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