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saber中开关器件（saber里的开关）

发布时间：2023-05-17
阅读量：68

本文目录一览：

用saber做开关电源仿真的时候出现错误

驱动脊搜芯片没加上电。高压的120K电阻应该与供电电源辅助绕拍野猛袭桥组的二极管阴极相连。

也就是此处需相连。

如何在Saber中得到二极管的U

Saber下IGBT的通用模型主要有以下几个老纤消:

1.IGBT,No buffer Layer,Transistor

这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于器件的物理模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流电压以及充电特性.

2.IGBT Data Sheet Driven,Transistor

这是一个表征IGBT行为特征的模型,它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得,可以反应IGBT的静态特性,非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流.

3.IGBT Data Sheet Driven,Static therl

这是竖芹一个表征IGBT行为特征的模型,它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得,可以反应IGBT的静态热特性,沟道调制效应,非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流.

4.Data Sheet Driven,Dynamic therl

这是一个表征IGBT行为特征的模型,它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得,可以反应IGBT的动态热特性,沟道调制效应,非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流.

5.IGBT Buffer Self-Heat,Transistor

这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于Henfer带缓冲层自加热模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流、电压、充电以及动态热特性.

6.IGBT Buffer Layer,Transistor

这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于Henfer带缓冲层模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流、电压以及充电特性.

7.Self-Heat,Transistor

这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于Henfer模型,以它的主侍知要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流、电压以及充电特性.

每个模型所需参数要求不一，具体参数怎么设定可参照saber中对应IGBT说明，右键-view template。

这个其实不是很复杂的 可以到硬之城上面看看有没有这个型号 有的话就能在上面找到它的技术资料

电路板设计有那些软件一般掌握那些软件

1、SPICE模拟电路仿真

用于模拟电路仿真的SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)软件于1972年由美国加州大学伯克利分校的计算机辅助设计小组利用FORTRAN语言开发而成，主要用于大规模集成电路的计算机辅助设计。

2、Saber开关电源首选

Saber用来设计各种电源设备，如DC/DC、AC/DC、DC/AC、AC/AC，能够全面分析系统的氏笑各项指标如环路频率响应、功率管开关、磁性器件的工作情况。

3、 PowerEsim

是用于在线开关电源（SMPS）卜链和变压器设计的电子电路仿真 软件。它可以在元件和电路级进行损耗分析，板温模拟，设计验证，故障率分析并生成相关报告。使用的常见电路设计仿真工具之一是SPICE仿真器。

4、EWB

他是以SPICE3F5为软件核心，增强了其在数字及模拟混合信号方面的仿真功能。EWB的兼容性也较好，其文件格式可以导出成能被ORCAD或PROTEL读取的格式，它在桌面上提供了万用表、示波器、信号发生器、扫频仪、逻辑分析仪、数字信号发生器、逻辑转换器等工具。

5、Altium Designer

Altium软件的市场定位是一些简单的板子，比如单片机类，简单的工业类，一些型核孙相对简单的板子，用这个软件比较多，相对是偏低端产品设计，大部分都是简单的板子。大部分用这个软件的公司产品都是相对偏简单的。

基于uc3842的反激式开关电源saber仿真为什么没波形

开关电源看似简单，实际涉及很多知识领域，要真的设计好一块开关电源还真不是一件轻松的事，那怕控制芯片已经高地集成。因为PCB布局、布线，元器件参数的选择等，影响开关电源的工作状态和性能指标。

那么，你开头说输出基本符合要求，就是有些毛刺尖峰，这个问题暂时说不清楚，但肯定有问题。也许下边的分析，有助于你解决问题。

但是将5

V接1.5欧电阻时，问题很严重：

1、刚上电时，变压器蜂鸣逐渐加重，MOSFET两端电压闷启反常，波形镇脊如下图，而且测得的周期（约75us）与设计值（40kHz，25us）差了3倍。

这是过载了，芯片进入了降频保护模式。

2、5V输出电压下降很快，大约在十几秒后降至不足1V。不过此时mos管两端电压无论波形还是周期都回到正常情况。

5V电压跌落后负载电流减小，开关电源控制芯片退出降频保护模式，但也许是临界状态，建议御罩渗延长观察时间。

开关电源开关管的振铃现象没法彻底消除，但振铃严重多和布局布线及输出变压器采输有关。严重怀疑对象变压器，磁隙、匝数、绕制工艺，你检查调整一下，看是否改观。

关键词：二极管阴极 saber中开关器件 极间电容 电阻 mic 电容 开关器件

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