小功率mos管型号（mos管额定功率）

发布时间：2023-07-08

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为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作性能。

如果你用的是普通51单片机，建议你用PNP的三极管，因为单片机灌电流能力比较强，一般可达20mA，而拉电流通常只有几十微安，所以设计成灌电流比较好，我常用2N5401的PNP三极管。

二极管选用1N4007，三极管选用TIP41C，MOSFET场效应管选用IRFP350，电流可达30A。输入电压48v，则保护电路上的基准电压大致为0.9V，只要取样电阻0.1欧上的电压大于0.9V，就会产生过流保护。

在10毫安以下，因此需要通过三极管进行功率放大。一般脉冲变压器的初级电压为10-20V，变比为1：1或降压，因此三极管一般选：电流0.5-2A，耐压大于等于100V，放大倍数100左右的开关三极管，对于工作频率没有特别的要求。

mos管和三极管只要器件参数（工作频率和toff和ton等）选择合理，驱动电路设计恰当，都可以保证其低功耗，考虑到三极管的驱动级电路功耗及复杂性，还是mos管优选。

BVCEO是三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电极电流，这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。

小功率mos管型号（mos管额定功率）

1、为控制电流的半导体器件；fT=βfo。三极管，为半导体三极管，为一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

2、f9530n是mos管，不是三极管。f9530n是非常常见的管子，一般在电子市场都有卖的。直接买同型号的替换即可。

3、三极管的导通电阻和温度是负系数关系，电流越大，导通电阻越小，很容易造成二次击穿，就没有这种自动均流的效应了。

4、三极管能否导通，不是看基极电压是几V，而是基极和发射极之间的压差，也就是Vbe=0.7V 。三极管进入放大状态的关键：发射结正偏，集电结反偏。基极：基极是半导体三极管的电极。

小功率场效应管贴片较多，例如SI2300系列。2SK系列不是贴片的，您可试一试。容易买到。

小功率场效应管市场上很少见，主要应用在低功耗，小信号高输入电阻放大电路，信号处理电路（AGC）等领域上，由于它的很多特点与三极管，运算放大器重合，因此一般用得人很少，市场上很少卖。

ao3400，N沟道的场效应管，sot23封装，30V耐压，导通电阻100毫欧，过100mA电流时压降不到10mV。

VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。

1、N60 ：N沟道MOSFET功率，10A 600V。10N60是耐压600V，电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V，电流13A的N沟道场效应管。只要你的实际应用电压不超过400V，就可以代换。电流不用考虑了。场效应晶体管简称场效应管。

2、一般来讲，电流大于10A的，电压高于500V的可以称为大功率，但不绝对。

3、ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

4、功率指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率为描述做功快慢的物理量。功的数量一定，时间越短，功率值就越大。求功率的公式为功率=功/时间。功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。

5、最大功耗(PD)：320W 开启延迟时间(td(on))：181NS 关断延迟时间(td(off))：255NS 二极管正向电压(VF)：9V 工作温度：-55~+150℃ 二极管反向恢复时间(trr)：55NS 引线数量：3 MP40N120场效应封装系列。