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如果工作时Vt2不发热。原因可能是继电器并接二极管虚接或脱焊，导致继电器关断时产生生的反压击穿三极管。
如果继电器的工作电流大于三极管的电流极限，当单片机低电平触发时，三极管就会发热烧坏。
三级管发热严重，一是三极管的耗散功率不够大，二是三极管未处于饱和状态（基极偏置过小，图中是激励电平不够低）所致。
你三极管一定要选用β大的，并且驱动电流也要足够大，否则管子的Uce较大，管耗也就大。发热就严重，记住8050这类管子Ic不要超过1A。应当留有余量才安全。实在不行就用贴片mosfet。
原因有二：三极管的参数选择不合适，低于要求值，三极管外围元件有问题。
脚串一只100欧电阻、一只按键接5V电池，4脚接万用表X1K档或别的档，点动按键，正常时万用表针会摆动。光耦合器(opticalcoupler，英文缩写为OC)亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
指针向右偏转角度越大，说明光耦的光电转换效率越高，即传输比越高，反之越低；若表针不动，则说明光耦已损坏。top257yn电路图。3．光电效应判断法仍以光耦合器的检测为例，检测电路如图2所示。
指针向右偏转角度越大，说明光耦的光电转换效率越高，即传输比越高，反之越低；若表针不动，则说明光耦已损坏。光电效应判断法仍以EL817光耦合器的检测为例，检测电路如图2所示。
检测用两个万用表，知道原理就知道测了，或者用一个3V电源，随便串个1K加在灯那头也行。其中有三极管 二极管 电阻 ，同一系列应该是转换效率不同。光耦最好用原型号替换。
1、断开输入端电源，用R×1k档测2脚电阻，正向电阻为几百欧，反向电阻几十千欧，4脚间电阻应为无限大。2脚与4脚间任意一组，阻值为无限大，输入端接通电源后，4脚的电阻很小。
2、比较法拆下怀疑有问题的光耦，用万用表测量其内部二极管、三极管的正反向电阻值，用其与好的光耦对应脚的测量值进行比较，若阻值相差较大，则说明光耦已损坏。
3、造成电气线路接触电阻过大的原因有：安装质量差，导致导线与导线、导线与电气设备衔接点连接不牢。连接点因为长时间震动或冷热变化，使接头松动。导线连接处沾有杂质，比如泥土、氧化层等。
槽宽，检测物体需通过槽型光耦的槽，才能对红外光实现阻断，所以光电传感器的槽宽要宽于检测物体，并要有一定的余量，便于安装。
那个光耦相当于一个开关，当有东西挡住了就不通，测速就是利用转盘通过开关计数，因为知道转盘的直径，所以可以通过圈数和时间来计算速度。
槽型光耦也称作直射式光电传感器或对射式光电开光，其工作原理是经过对红外发射光的阻断和导通，在红外接收管感应出的电流变化来实现开和关的判别。槽型光耦通常也称作槽式光电开关通常是U型结构。
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光本身为高速，并且传感器的电路都由电子零件构成，所以不包含机械性工作时间。分辨率高。能通过高级设计技术使投光光束集中在小光点，或通过构成特殊的受光光学系统，来实现高分辨率。
推荐采用线性光耦合器，其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整。
用双二极管光耦TLc621试试看采样能否成功，具体做法用10毫欧电阻串入交流，光耦二极管接10毫欧两瑞，三极管部分会反映通断信号。用另一标准电压源的电压与采样比较获某一值经计算反映电压值。
当采用普通光耦器件时，要尽量采用多光耦器件，而不要采用单光耦器件，因为多个光耦集成在一片芯片上有利于从材料及工艺的角度保证多个光耦之间特性趋于一致，而正是由于多个光耦特性的一致才保证了反馈对改善线性的作用。
本文采用线性光耦HCNR201的方法，实现被测模拟信号与控制系统之间的线性隔离。线性光耦隔离与普通光耦隔离相比，改变了普通光耦的单发单收模式，增加一个用于反馈的光电二极管并且增大了线性区域。
电压频率转换器将变送器送来的电压信号转换成脉冲序列，通过光耦隔离后送出。在主机侧，通过一个频率电压转换电路将脉冲序列还原成模拟信号。此时，相当于光耦隔离的是数字量，可以消除光耦非线性的影响。
光电耦合器可作为线性耦合器使用。在发光二极管上提供一个偏置电流，再把信号电压通过电阻耦合到发光二极管上，这样光电晶体管接收到的是在偏置电流上增、减变化的光信号，其输出电流将随输入的信号电压作线性变化。
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