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1、将电阻阻值换大一点，电阻的功率也可以用大一点。
2、——★加热丝工作时电流突然变大，烧坏，这是双向可控硅输出的电源突然升高所致：触发电路发生了失控。——★检查、维修控制电路（特别是触发电路），即可排除故障。
3、过压保护的次数；周围工作温度；电阻有无受挤压；是否通过品质认证；浪涌能量太大，超出吸收功率；制造厂产品质量不佳，在正常使用条件下很快损坏；使用电压偏高了，促使压敏电阻热击穿或电击穿损坏。
4、烧坏可控硅的阻容保护电阻，可能是使用过程中出现过电压，更换功率大一点的电阻或者使用氧化锌晶闸管保护就可以了。它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。
1、可控硅的导通的条件：两级有电压，G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时，光耦导通，两个电阻RR10和光耦形成回路。
2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。
3、接通电磁阀线圈（一般小于10W）可用BT136可控硅，光耦触发电阻选330欧姆，保护电阻100欧姆，保护电容选0.1u～0.022/1000v，CBB21，这种小负载也可不用保护电阻，电容。
4、可控硅触发需要的是触发脉冲，不是单一的电压；触发脉冲需要有一定的电压幅值和提供一定的电流，上升沿有一定陡度；触发脉冲需要与主回路同步，施加在控制极与公共端之间。
5、上面的360R的电阻是触发电路中的限流电阻，下面的电阻是防干扰电阻，去掉也可以工作。
用短接线将AG极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，AA2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开AG极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。
可控硅发热状态阴阳极之间阻值会在几个欧姆（Ω）至几千欧姆（kΩ）之间。在可控硅的工作过程中，阴极和阳极之间的阻值是一个重要的参数，影响着器件的工作状态和性能。
可控硅内阻在20欧左右。根据查询相关信息显示，因为如果电阻过大，出发电流就小，使得触发导通不成功，过小触发时易烧坏，20欧合适。
欧左右。电阻过大，出发电流就小，使得触发导通不成功，过小触发时易烧坏。可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。
它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。100a可控硅得需要调整电阻300到500欧姆。
用短接线将AG极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，AA2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开AG极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。
欧姆。双向可控硅a1和a2之间用短接线进行瞬间短接，给G极加上正向触发电压，两者之间的电阻是10欧姆左右。电阻是指表示导体对电流的阻碍作用的大小。
接通电磁阀线圈（一般小于10W）可用BT136可控硅，光耦触发电阻选330欧姆，保护电阻100欧姆，保护电容选0.1u～0.022/1000v，CBB21，这种小负载也可不用保护电阻，电容。
欧左右。电阻过大，出发电流就小，使得触发导通不成功，过小触发时易烧坏。可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。
就是你说的那样啦！如果没有二极管的话就用一个电阻，从阴极接到控制极，可控硅就可以导通了。
到19欧之间。根据查询可控硅控制级到阴极电阻可控范围介绍显示，可控硅控制级到阴极电组是16到19欧，电阻过大可能造成触发电流过小，或触发电压过大.易造成无触发或触发不了。
控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。
在可控硅控制极对地接个5K电阻，接上这个电阻以后，可以消除干扰，但是有个前提，就是电路一定要按常规的接法，否则起不到抗干扰的作用。
可控硅导通电压约2v，饱和导通电流不确定，所以无法计算。1000A是最大饱和导通电流，就是说，此时电阻是2/1000Ω=0.002Ω 当然实际饱和导通电流介于最小和最大之间，所以就要看它正常工作时的设计电流了。
关键词：光耦 可控硅的 双向可控硅 可控硅 电阻 保护电阻 电阻烧 单向可控硅 电容 光耦触发 二极管使用 和光耦 电阻的 两个电阻
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