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驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路 速度:MOS管开关速度不高,三极管开关速度高 工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制 阻抗:三极管输入阻抗小,MOS管输入阻抗大。
我们在做电路设计中三极管和mos管做开关用时候有什么区别 工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大。
MOS管比三极管最大的优点是所需的驱动功率小。MOS是电压驱动,三极管是电流驱动。
三极管:电流控制器件,输入阻抗低,以正电位控制居多。MOS:电压控制器件,输入阻抗高,选用不同极性可实现不同极性电压的控制,即正或负电位都可控制。
最大过电流能力 三极管有ICM参数,即集电极的过电流能力,MOS管的过电流能力用ID来表示。电流工作时流过三极管/MOS管的电流不能超过规定值,否则器件被烧坏。从工作稳定性考虑,一般要留有30%-50%,甚至更多的余量。
1、你好:——★电流是从正极流向负极的,所以 “三极管导通的时候,电流是由c流向e还是由e流向c”与三极管的结构有关。
2、三极管内的电流有两个方向,三极管的作图符号就非常明白地说明了,请看E极的箭头。NPN管:1是从B流向E。2 是从C流向E。PNP管相反。
3、你好:——★电流是从正极流向负极的,所以 “三极管导通的时候,电流是由c流向e还是由e流向c” 与三极管的结构有关。
4、三极管的电流基本关系是。Ie=Ic+Ib 对于NPN管,集电极电流是流向发射极的。三极管是两个背靠背的PN结构成。只有基极发射极电流是,PN结正向导通。而集电极是则反向导通的。当基极开路时。
5、三极管 一般按PN结分两种,PNP三极管、NPN三极管,电流也是两路,即控制电流(叫基极电流)和被控制电流(集电极电流),集电极电流除基极电流等于放大倍数。电流的流向是,三极管有三个极,即基极、发射极、集电极。
6、NPN型三极管正常工作(即处于放大或截止状态时)时,电流都是从集电极流向发射极的。
MOS管是集成电路中的绝缘性场效应管。它的三个极分别是:栅极、漏极和源极。栅极简称为G;源极简称为S;漏极简称为D。
三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区。
MOS管:MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。
1、MOS管的三个极分别是:栅极G、源极S、漏极D。
2、G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。
3、漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道。判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。
4、三个脚为基极、集电极、发射机的是三极管。三个脚为栅极、漏极、源极的是MOS管。三极管和MOS管的外形看起来很像,实际是不同的东西。
5、不一样。MOS管是电压控制器件,三极管是电流控制器件。MOS管比较抽象,是因为绝大部分学校对于MOS的教学比较粗糙,很少教。MOS管特别怕静电,要是不小心,就容易坏,比三极管要难使用。
工作原理:MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET,其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点,如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。
在金属中,响应外加场的电子密度非常大,以至于外部电场只能穿透很短的距离进入材料。然而,在半导体中,可以响应外加场的较低密度的电子(可能还有空穴)足够小,以至于场可以穿透到材料中很远。
工作原理:在MOSFET中,连接极与P沟道区域之间隔离,因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时,N沟道区域的电流会增加,电流就会从源极流入汇极。
MOS管的主要作用是放大电信号,用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应,即当PN结处于反向偏置状态时,其电阻非常大,电流几乎为零。
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