mos管使用方法（mos管入门）

发布时间：2023-07-09

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1、由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN40VN67VMPT2等。表1列出六种VMOS管的主要参数。

2、类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管，沟道类型：N型沟道，导电方式：增强型，适合频率：中频。ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。

3、三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V；锗管加0.2V。

4、MOS管主要参数如下：开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

mos管使用方法（mos管入门）

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

这是MOS管热释电红外传感器，那个矩形框是感应窗口，G脚为接地端，D脚为内部MOS管漏极，S脚为内部MOS管源极。在电路中，G接地，D接电源正，红外信号从窗口输入，电信号从S输出。

下面我们看一下MOS管的引脚，如下图所示：有三个引脚，分别为G（栅极）、S（源极）、D（漏极）。在开关电路中，D和S相当于需要接通的电路两端，G为开关控制。

先确定MOS管的引脚：先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。

可以控制的开关电路最大电压是多少取决于MOSFET的最高耐压值，耐压值有多大，就能控制多大电压的电路。220V不可以直接接在开关两端。

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管上面讲的是N沟道增强型MOS管。

N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。

p沟道耗尽型mos管在恒流区条件可变电阻区就是栅级电压过了Th阈值，但是还没有完全导通的这个阶段，也就是米勒阶段而恒流区是指栅极电压过了米勒阶段。

可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0。n沟道耗尽型mos管的可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0，此时为截止区。vdsvgs-vtn和vgs≥vtn，此时为可变电阻区。