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1、MOS管的电流会增加，这是因为栅源电压越高，MOS管的导通越好，电流就会更大，同时栅源电压还会影响MOS管的阈值电压，即使电流增加，MOS管的阈值电压也可能会发生变化。
2、第三个影响阈值电压的因素是由栅氧化层厚度tOX决定的单位面积栅电容的大小。单位面积栅电容越大，电荷数量变化对VGS的变化越敏感，器件的阈值电压则越小。
3、而后者一般发生在高中压输电线路中，在这种线路上，由于大量产生电感电流的负荷存在，所以加大了线路的电压降，造成系统电压降低，投入电容器后，通过电容来对消线路上的电感，从而也达到抬高系统电压的目的。
4、耐高压的MOS管与耐低压的MOS管区别：耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
这个资料哪来的，不可能是教科书吧，你只能当当“参考书”比较合适。
MOS是场控器件，意味着只要栅极电压达到阈值，其DS之间的沟道即会打开。但由于其栅源之间有等效电容，故无论是开通或关断或放大的时候，其响应均会受电容影响，有所延迟。因为电容电压不会突变，这就是存储效应。
耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
在设计中，常利用电容器两端的电压不能突变和流过电感器的电流不能突变的特点，将电容器和负载电容并联或电容器与负载电阻串联，以达到使输出波形基本平滑的目的。
AS短接，LED灭是正常的。当A（就是G极）悬空时，由于场效应管栅极极高的输入阻抗，会引入静电以及电场干扰从而导致DS导通。一般在应用时，GS之间要加一个电阻，防止栅极悬空引起错误动作。
由于栅极和衬底之间有一层薄薄的二氧化硅绝缘层，所以栅极和衬底之间相当于存在一个电容。
夹断后，不是完全夹断的。靠近源极，还是有沟道的，靠近漏极的沟道被夹断的。在夹断沟道内，存在比较强的电场，所以对电子还是有很强的吸引作用的。电子会被拉入漏极。形成电流。
你说的N 型mos管的导通，主要是看栅极，栅极上的电压相对于GND是正电压，达到一定值，那么mos管导通。你可以理解为：栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。 一句两句也说不清楚，你可以这么去理解。
在栅极施加不同的电压，源-漏极之间就会有电阻的变化，这就是MOS管的工作原理。栅极电压对应在器件S-D极的电阻变化曲线可以查器件手册。根据MOS管的这个特性，既可以选择将MOS管作放大器工作，也可以选择作为开关工作。
MOS管的栅极和漏极可以是相同电压，如果它们的电势相同，就会处于截止状态，不会导通。当MOS管的栅极电压大于阈值电压时，电子会开始在通道中流动，从而使漏极电压低于栅极电压，使得MOS管导通。
DRAM就是动态随机存取存储器，动态随机存取存储器需要刷新是因为DRAM存储信息的特殊性。DRAM是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。
刷新原因——因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要及时补充，因此安排了定期刷新操作；常用的刷新方法有三种——集中式、分散式、异步式。
正常读写之后，集中式刷新存在一段停止读/写操作的死时间（分散式刷新时，读写操作同步）。
mos管因其栅极与漏极之间是存在绝缘栅的，因此栅极和漏极之间是有电容存在的，可以作一个小电容来使用。
避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上dummy routing layer后者dummy元器件。
首先将其中一根与MOS场效应管的D极(漏极)相连。其次另一根与限流电阻相连，都用细铜丝缠紧。最后用焊锡固定，点焊针部分便做好了。
为了MOS管的安全，高品质主板也开始为MOS管加装散热片了。
MOS是场控器件，意味着只要栅极电压达到阈值，其DS之间的沟道即会打开。但由于其栅源之间有等效电容，故无论是开通或关断或放大的时候，其响应均会受电容影响，有所延迟。因为电容电压不会突变，这就是存储效应。
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