mos管限流电路（mos管限流电阻怎么选）

发布时间：2023-07-09

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1、用运放采集一个取样电阻上的电压，超过阈值电压后，输出一信号控制MOS的通断，就起到了限流的作用。

2、首先是电源，然后来到第一个PMOS的衬，P+（表示重掺杂）半导体区域，然后来到第一个PMOS的源，P区域，再经过第一个的栅来到第一个PMOS的漏端，还是P区域。

3、步进电机电机运行的使用要求驱动器输出恒流，目前的实现方式是斩波恒流或者PWM调制恒流。保护电流的实现比较随便。这个保护电路前端是正向放大器放大倍数约为3倍。

4、m0S管dS之间的电流如何通过g极的电压控制电路。—般都用运放做电压比较器进行电压比较后输出经限流电阻接到g极，比较电压输出大小给g极从而可以控制dS极的导通电流。

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管上面讲的是N沟道增强型MOS管。

N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。

p沟道耗尽型mos管在恒流区条件可变电阻区就是栅级电压过了Th阈值，但是还没有完全导通的这个阶段，也就是米勒阶段而恒流区是指栅极电压过了米勒阶段。

1、PWM一般指脉冲宽度调制。脉冲宽度调制是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。

2、PWM是脉宽调制的缩写。这是一种模拟控制方式。它根据相应负载的变化来调节晶体管基极或MOS栅极的偏置，从而改变晶体管或MOS管的准时时间，从而实现开关稳压电源输出的变化。

3、PWM是PulseWidthModulation的缩写，中文意思就是脉冲宽度调制，简称脉宽调制。

4、PWM信号是PWM，英文名Pulse Width Modulation，是脉冲宽度调制缩写，是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。

5、你这个电路其实叫做BUCK开关电源电路，是一种降压型开关电源。下面回答你的问题：单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。

外置式mos管dcdc控制器电流限制的解决方式。根据相关信息资料查询，高侧开关是高压侧开关，由于电压很高，隔离起来通过连接继电器到安全地，只要控制继电器的通断就能控制高压开关，这个控制继电器的开关就是低侧开关。

主要是检测电路的关系吧，靠检测电流来控制占空比的IC电流越大对应的检测电压越高，但是精度越低，一般IC会内置一个检测电压，超过就会受到限制。理论上，小小的驱动和外置输出电流没多大关系。

原因如下。MOS管的栅极具有一定的电容，需要一定的时间来充放电，从而控制MOS管的导通电流。MOS管的漏电流在导通前需要达到一定的电压，这也需要一定的时间。MOS管的通道电阻和开关速度也会影响导通电流的延后。

由于MOSFET和IGBT的栅极与漏极和源极之间都存在寄生电容。器件的开通不是一下完成的，而是栅极电流逐渐给栅极寄生电容充电，充电到阈值电压，器件才开通。

MOS管是电压控制型器件，只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是A级的。

mos管限流电路（mos管限流电阻怎么选）