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1、给可控硅的触发极加一个和电流同周期的脉冲,根据脉冲与电流的相位差的变化,可控硅可以控制整流电路中电压的平均值,这样就可以实现电热器温度的调节,其实这个过程也是一个闭环反馈控制过程。
2、移相触发加热MTC可控硅模块导通角被调整,电压随之变化,从而调整加热功率;过零触发加热即通常所说的固态继电器,加热时,电压不变化,实际是脉冲通断信号。
3、可控硅控制加热,有两种方式,一是移相式。一是脉冲式。前者就是在正弦波不同位置导通(导通角)来改变加到电热元件上的电压的。后者是以一个时间段导通不同比例有时间来控制加热的。前者的调功器线路比较复杂。
4、即热式电热水器双向可控硅是双向可控硅与负载(加热棒)串联并接在火线零线之间,通过光耦继电器控制双向可控硅的导通,电流流过低阻值的加热棒产生热量,实现对流通水的加热。
5、坐圈加热设备开始工作。当seat_heat脚为“0”时,以上各元件工作状态相反,坐圈加热设备停止工作。
可控硅控制加热,有两种方式,一是移相式。一是脉冲式。前者就是在正弦波不同位置导通(导通角)来改变加到电热元件上的电压的。后者是以一个时间段导通不同比例有时间来控制加热的。前者的调功器线路比较复杂。
是的,调功器是一种节电的开关器件;调功器的节电原理是比较好理解的,如:工业用的电加热电路,控制发热管的通断。常用的控制是用交流接触器,或者固态继电器。但它们工作时,是开一下,又关一阵。
温度控制器输入端是热电偶或热电阻接点,检测元件热电阻接在该点上,输出端是两个小型继电器,控制加热设备。然后设置温度的上限和下线。运行后,当温控器检测到温度达到上限时,继电器断开,停止加热设备加热。
电热管温度的控制问题可以通过配置测温及温控系统来实现。比如工业烤箱温度控制、热流道温度控制等等。
如果是多组加热管可以改变接法来改变功率 无极调节用可控硅模块最便宜。用IGBT也可以但费用太高。
解析:用单片机做PWM控制电加热器的加热功率请问控制思路可以这么考虑:加热功率的大小由输出脉冲的占空比决定,占空比大,则加热功率就大。
用单片机控制光电耦合器,再去控制双向可控硅,就能在任意时间内控制到任意温度。“双向可控硅”:是在普通可控硅的基础上发展而成的,它不仅能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路,是比较理想的交流开关器件。
控制思路是,PWM波形,在高电平时候可以给加热器通电,于是加热丝器就开始加热。在底电平的时候就不给加热器通电。不加热。通过控制加热的时间来控制加热的热量。
即热式电热水器双向可控硅的工作原理是由双向可控硅控制电热元件电源每半个周期导通角的大小。
如果你懂电子技术可以百度中搜索“固态继电器电路图”可以有无数的资料参考使用;如果你不懂电子技术,可能连双向可控硅的引脚都无法识别,即使知道接线方法也无法使用,另外,双向可控硅的选用、散热器的配用都是需要设计的。
电加热器改双向可控硅控制后,电源的功率因数下降原因是采用三相两控过零点控制的方法,因为电流波动大,对变压器(2500KVA)影响较大,机身温度上升很快,电源的功率因数下降。
可控硅控制加热,有两种方式,一是移相式。一是脉冲式。前者就是在正弦波不同位置导通(导通角)来改变加到电热元件上的电压的。后者是以一个时间段导通不同比例有时间来控制加热的。前者的调功器线路比较复杂。
可控硅电力控制器的基本原理是通过控制信号输入,去控制串在主回路中的可控硅(晶闸管)模组,改变主回路中电压的导通与关断,由此达到实现加热器控制。
交变电流是以正弦波的形式不断变化的,将可控硅接入控制电路中后,可控硅在触发后,可以维持电流一个周期的正向导通。当电流过零变负时,可控硅断开。
你如果只是拿来当继电器用就简单了,最简单的就是用小继电器或者小开关直接控制模块上两个G,当两个G接通模块就导通,断开就关闭。只能用MTX或MTC的,只有这两种才能用作交流开关。
针对您的这个炉子最好使用可控硅调压器的方式调节,电压电流功率调节平滑,而且最好加上一个隔离变压器,采用变压器原边控制。
还有断路器有D系列和C系列之分,D系列不会因为启动瞬间电流很大而脱扣的。
单相65kw断路器应采用 额定电流为 400A 的断路器。铝线150载流量为300A 如果线路过远可以用175或者铜线150的 三相电流=20kw/380/732≈30A 可以用10平方铝线或6平方铜线。
断路器选50A的,导线不用选额定电流的7倍,大于等于额定电流就行,6平方和10平方的安全电流分别为30A和50A,因此,用6平方的就行了,10平方更好。
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