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如果驱动电压小于10v,那就太有关系了,mos管都没有完全打开,内阻会比较大,温升迅茄肯定大,如果你指的是>10v的清伏驱动答昌携电压,看你应用在什么场合了,低频场合驱动电压高低影响不大,但是如果应用在射频等高频下,那就有影响了。
开关电源MOS管,和变压器升温过高是过载了,可以并联一个1k电阻分流。
主要是MOS的电压,电流与温度。当然就芦悄是牵扯到MOS管的选型了。MOS的耐压当然要超过电池组的电压,这是必须的。电流讲的是在通过额定电流时MOS管体上的温升了一般不超过25度的温升,个人经验值,只供参考。
MOS的驱动,也许会有的人会讲,我有用低内阻大电流的MOS管,返岁但为何还有蛮高的温度?这是MOS管的驱动部分没有做好,驱动MOS要有足够大的电流,具体多大的驱动电流,要根据功率MOS管的输入电容来定。因此,一般的过流与短路驱动都不能用芯片直接驱动,一定要外加。在大电流(超过50A)工作时,一定要做到多级多路驱动,才能保证MOS的同一时间同一电流正常打开与关闭。因为MOS管有一个输入电容, MOS管功率,电流越大,输入电容也就越大,如果没有足够的电流,不会在短时间做出完整的控制。尤其是电流超过50A时,电流设计上更要细化,一定要做到多级多路驱动控制。这样才能保证MOS的正常过流与短路保护。
MOS电流平衡,主要讲的是多颗陪世渣MOS并起来用时,要让每一颗MOS管通过的电流,打开与关闭时间都是一致的。这就要在画板方面入手了,它们的输入输出一定要对称,一定要保证每一个管子通过的电流是一致这才是目的。
变压器升温过高发烫,4个考量,1.是铁损2.是铜损3.绕线工艺也会提高温度链乎歼4.变压器太小顷卜
MOS管温度过高,1.更改规格2.更改散热片设计提高散热面积3.并联分流
主要是看你想做高效的电源输出还是低成本的电源输出,两者在成本上超棚冲过30%价差以上的
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