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1、即输入高电平，输出低电平。另外当三极管发射结反偏，集电结正偏时，也具有放大作用，但是因内部结构限制，其电流放大作用不明显，效果不好，一般是不使用的。也谈不上有哪些作用了。
2、利用这个特点将三极管反向使用可替代具有负阻特性的触发管。
3、三极管在进行放大工作时，发射结正偏，集电结就是反偏的。
当然是反相的，因为基极的极性与集电极的极性是相反的，基极与发射极是同相的，与集电极是反相的。基极输入电位越高，三极管越导通，哪么三极管上面分的电压就越小，集电极输出就越小，所以基极与集电极关系正好相反。
当输入信号上升(变大）导致基级电流上升时集电极电流也是上升的，但是集电极电压是减小的。这个现象就是反向。
但是由于集电极电阻的存在，这个同相的电流产生的电压却是在向负的方向变动的，亦即集电极电压在下降。这个集电极电压的变动与基极电压的变动正好相反，因此输入电压与输出电压是反相的。
三极管接成共发射极电路时，输入信号与输出信号的相位相差180度，所以也称为反相器，也就是倒相。
在共射极放大电路中，当基极输入电压上升时，集电极输出电压是下降的，而基极输入电压要是下降时，集电极输出电压就会上升。所以输入与输出电压相位是相反的。
1、不管在分立元件还是在集成电路中，三极管集电极和发射极输出相位是相反的。集电极输出，相对基极的输入是反相，而发射极输出则是同相。
2、是的。与电路的设计有关，就是一个反相输出的电路。当基极信号由“正”增加时，三极管导通深度增强，导通电流增大，集电极电位Vc将下拉减小，集电极电阻上的压降Vrc增大了。相反，若基极信号减小，集电极电位反而增大。
3、当然是反相的，因为基极的极性与集电极的极性是相反的，基极与发射极是同相的，与集电极是反相的。基极输入电位越高，三极管越导通，哪么三极管上面分的电压就越小，集电极输出就越小，所以基极与集电极关系正好相反。
4、发射极是低电势。当基极有信号时，管子开通由于电源的内电阻或是集电极之前接了电阻，电阻上有电压降，所以此时集电极上的电势下降，而此时反射极由于电源内电阻或发射极后接了电阻使其电压降上升导致发射极电势上升。
5、基极电压输入正半周，集电极电压输出副半周。这个就是倒相作用。三极管接成共集电极（射级输出器）时，发射极接一个电阻RE，集电极没有电阻。输出从RE上取出，由于IB增加IE也增加，VB上升VE也上升，方向相同，所以同相。
6、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。
如果题主指的是V2。V2电流并不反过来，而你的理解错误。在电路中经常会用到等效的概念，V2的基板接入的是正弦信号的负半周，基极电位降低，基极电流减小，基极电流为lb0-ib，所以这里相当于（等效）流出了ib。
确实是向外流的，这个图画错了，这说明你一个爱动脑，且细心的人，这也被你发现了。左边的图是复合管，型号等于第一个管子，也就是说：最后相当于PNP三极管。
型三极管开关电路，基极电位比发射极高，所以基极电流会流向发射极。
三极管集电极与基极的电压输出波形是反向的，即基极电压上升时集电极电压却是下降的；而电流波形却是同相的，即基极电流上升时，集电极电流也在上升。
会。Ie=Ib+Ic，也就是说，发射极电流就是集电极电流和基极电流之和。
1、字母c表示三极管的集电极，b表示基极，e表示发射极。o就是英文单词open的第一个字母，意即开路。
2、Iceo 与 Icbo 分别是CE、CB之间的漏电流，测试时在CE之间加一个电压，B悬空，测CE之间的电流；在CB之间加一个电压，E悬空，测CB之间的电流。
3、e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。(2) V(BR)CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。 此时流经c-e极的是ICEO。
4、Vbeo基极与发射极之间的饱和电压降；VCEO，集电极与发射极之间的饱和电压降。
5、三极管Iceo是在基极开路的情况下，这时C和E之间应该是电流为0，但是往往有个小电流，通常称之为穿透电流。
6、良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的 Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。
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