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1、它是一种小功率NPN型硅三极管。该管是日本公司生产的，其完整型号为“2SC1815”，该管的Pcm＝450mW，BVceo＝45V，Icm＝150mA。
2、C1815管是硅NPN管，参数：60伏，0.15安，0.4瓦，8兆赫。NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。
3、就是型号啊，命名规则是国外的吧。至于国产还是进口，就看谁造的，中国造就是国产了。
4、C1815是日本公司生产的NPN三极管。其耐压值为45V，Pcm为450mW，Icm为150mA。后面的GR是英语单词Green（绿色）的缩写，其用来表示管子β值的大小（以前国产的三极管通常在管子顶部点上色点来表示β大小）。
5、C1815就是2SC1815，是NPN管，参数是60V，0.15A，0.4W，8MHz 后面的CR528就是该管的编号。
6、N沟道—导通时 Ug Us，Ugs Ugs(th)时导通 P沟道—导通时 Ug|Ugs(th)|。c1815三极管是一种小功率NPN型硅三极管.该管是日本公司生产的，其完整型号为“2SC1815”，该管的Pcm=450mW，BVceo=45V，Icm=150mA。
你好，三极管的C极是连接电源极或是前面有负载。b 是控制极接在控制电路上。接受控制信号的。e是发射极一般是接在电源负极上的。个别也有用来接负载的。电压能受直流50伏，电流最大150毫安。希望对你有帮助。
－发射极(E)，2－基极(B)，3－集电极(C)。你的标记是字母错误的，标准的应该是下面有箭头的是发射极(E)，左面是基极(B)，上面是集电极(C)。
外部限流保护输入引脚。不需要此项保护，可将此脚接输入电源负。多功能 (M) 引脚：过压、钱呀、过流保护输入引脚。不需要此项保护，可将此脚接输入电源负。源极 (S) 引脚：内部高压功率MOSFET的源极输出脚。
就是型号啊，命名规则是国外的吧。至于国产还是进口，就看谁造的，中国造就是国产了。
NPN型三极管，如果用数字万用表测试，现在一般的数字万用表都可以检测晶体管，把1815三引脚正确地插入万用表，选择晶体管测试档，就能测出晶体管的好坏。
1、c1815三极管GR938：C1815是日本公司生产的NPN三极管。其耐压值为45V，Pcm为450mW，Icm为150mA。后面的GR是英语单词Green（绿色）的缩写，其用来表示管子β值的大小（以前国产的三极管通常在管子顶部点上色点来表示β大小）。
2、可以用s8050代换。c1384（TO－92A封装）管脚ECB， S8050（TO－92A封装）管脚EBC，管脚顺序不要搞错了。 TL431是可调基准电压源，不是三极管，不能替换。
3、C1384是NPN低频功率放大管 功率为1W ，有没有放大的倍数，取决你的电路。
4、SC1384L 为这个三极管的型号，TO-92封装，L：表示三极管管面为9mm ，一般的管面为58mm TDA2：系列号，专业CCD；CMOS监控摄像 LED照明 都有用到。
5、没什么区别，只是放大倍数不一样。9018后面的 字母是表示管子的放大倍数的。G的放大倍数低于H。9000系列三极管后面的字母一般都是表示放大倍数的。
6、S9013 是型号，H 是放大倍数（hFE），后面的是厂家的编号。hFE F：96-135，G：118-166，H：144-202，I：176-24因此这两个三极管没有区别。
1、把表调到100K欧姆上，管子正面对你三个脚从左往右第一脚发射极二脚集电极三脚基极，用正表笔触二脚负表笔触一脚再用手指湿水后捏住二脚三脚，不要短路，电表有反映就是好的，数值越小表示管的B值越大。
2、万用表打到K欧档，黑表笔对B极，红表笔对C极，然后红表笔再对E极，测试有无开路和短路现象，调换黑、红表笔再测。
3、三极管好坏大致判断利用三极管内PN结的单向导电性，检查各极间PN结的正反向电阻，如果相差较大说明管子是好的，如果正反向电阻都大，说明管子内部有断路或者PN结性能不好。如果正反向电阻都小，说明管子极间短路或者击穿了。
4、判断三极管好坏的方法：利用万用表来判断：将指针万用表打到x1K欧姆挡；将黑表笔与三极管基极相连，分别测三极管基极与发射极，基极与集电极之间的电阻。
是小功率三极管，通常起差分放大，偏压设置，检测等用途，具体看电路。
它是一种小功率NPN型硅三极管。该管是日本公司生产的，其完整型号为“2SC1815”，该管的Pcm＝450mW，BVceo＝45V，Icm＝150mA。
是一个50V150mA的NPN型管，如果负载不大，可用50V100mA的C945代换，当然用150V500mA的MMBT5551更为安全。
而1815最大集电极电流只有150mA，集电极耗散功率为400mW，如果集-射极两端的电压为10V，通过的电流只需50mA，管子的功率损耗就为500mW，显然已经超过耗散功率这个极限参数，必定损坏。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
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