ne555可控硅（ne555可控硅触发电路输出电压低）

发布时间：2023-05-17

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本文目录一览：

1、求助大神设计一个ne555延时电路接通延时五秒后控制电机
2、NE555可以做延时点动电路吗？
3、用NE555和4017芯片组成的流水灯电路图谁能说说...
4、ne555可控硅触发电路输出电压低
5、用ne555设计的延时装置的原理是什么

求助大神设计一个ne555延时电路接通延时五秒后控制电机

非常简单，只要对555时基电路工作原理比较熟悉，就可以很容易设计出来。如图：

采用CMOS型GC7555型时基IC，具有静态电流小超省电、输入阻抗高方便长时间定时、第5脚可省略退耦电容的优点，用来驱动场效应管比双极型的NE555更合适。

电路通电后经过足够的时间后，电容器充电已充满，2、6两脚电位为Vcc，3脚输出低电平，场效应管截止、电机不转。当按下按钮开关S时，47μF电容C放电。2、6两脚电位跳变为零，3脚输出高电平，场效应管饱和导通，电机转动工作。开关弹起后，经96.8k电阻R对47μF电容C充电，经过t=1.099RC≈5s的时间后，电容C两端电压充电至2Vcc/3，在此之前3脚持续输出高电平，场效应管持续导通，电机持续转动。

电容C电压充至2Vcc/3后，7555状态翻转，第3脚输出低电平，场效应管立即截止，电机停转，直到下一次按下开关S时重复上述过程。和电机并联的二极管，作用是场效应管截止时提供自感电流的放电回路，避免场效应管被击穿。

电机为直流供电，其供电电压可以和7555相互独立。如果采用交流电机，则场效应管可换成双向可控硅，并对驱动电路做出适当修改以适应可控硅。

100欧姆和10kΩ两个电阻为场效应管亮御散的驱动电阻，确保其可靠工作。

元件选择：

场效应管的最大漏极电流和最高耐压应根据电机的额定电压和额定功率做出选择，留有足够余量，且选择栅极电压5V即可饱和的低门限型号，也可选择高反压、大电流达林顿三极管。本例选用耐压500V、20A的管子，可驱动额定电压不超过400V、额定电流不超过10A的电机（电机启动瞬间电流超过额定电流，这里留有一倍的余量）。若无需这么高的电压和这么大的电流，场效应管型号可另行选择。若驱动5~9V小型电机，电机可视情况和7555同电源供电。

定时电容C=47μF选用性能稳定、漏电低的钽电容，定时电阻R=96.8kΩ选用高精度金属膜电阻（可采用多个电阻串联达成所需阻值）。如果电容精度不够拆灶，可用81kΩ定值电阻和20kΩ电位器串敬氏联代替91kΩ，微调电位器，让定时时间刚好为5s即可。

NE555可以做延时点动电路吗？

555延时电路的原理与实现方法

一、电路工作原理

如图：

三、制作与调试方法电路定时时间可以通过调节电阻器Rt、电容器Ct 的参数值来改变定时时间的长短。本电路结构简单，只要按照电路图焊接，选用的元器件无误，都能正常工作。

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如何用LM555CN做一个简单触发延时关断电路？

手头有LM555CN 一些常用电阻 10K、20K、100K之类的电位器， 10nf电容若干 220uf、220，如何用LM555CN做一个简单触发延时关断电路？

求一个简单的关于LM555CN的触发延时关断电路（12V或5v 输入）延时关断时间30S内可调，请务必标明各元件数值茄岩...并且时刻准备在旁边接电路测试。

如图谨备：

555延时电路，待机继电器放开(C-NC通)，按下S1继电器吸上(C-NO通)，吸上时间由RC值决，R=500k可调电阻，C=68uF，R最大值时可以有30多秒延时。

问题：LM555CN与NE555 是可以通用的了，对吗？只知道LM与NE 貌似只代表生产厂地。

回答：LM555CN与NE555 是可以通用的，不同生产商，批号等不同而已。

附，工频0-5分钟延时电路图

工频0-5分钟延时电路图工频0~5分钟延进电路如下图所示，该电路采用双栅极场效应管RCA40841构成的可控硅触发电路，R的值决定延迟控制的持续时间，R等于60MΩ（LRC型CGH型电阻）时，可得最在延迟时间5分钟祥纳毁，双向可控硅可驱动大电流电阻负载或电抗****流负载载。在-25~+60℃温度范围内，误差在10%以内。

如图：

用NE555和4017芯片组成的流水灯电路图谁能说说...

4017是移位计数器，输入CLK一孙山贺位，输出十位并行，每输入一个脉冲，输出的高电平唯渣脚移动一位，十个脉冲循环一周。则派

555是时基电路，由RC组成方波发生器。

zzg_sohu的说法是时的，我就引用他的话来回答：“555震荡，震荡频率决定流水灯的速度，555的3脚输出到4017的CLK端，4017的输出接到各路灯回路。”4017的输出电流较小可以驱动LED，但不能驱动灯泡，这里要求将4017的输出去驱动可控硅，再由可控硅驱动灯泡。

ne555可控硅触发电路输出电压低

可控硅损坏，外部负载问题。

1、可控硅损坏，ne555可控硅是一种半导体器件，如果长时间工作在高温、高电压等恶劣环境下，会导致可控硅损坏，从而影响可控硅触发电路输出电压低。

2、外部负载问题是可控硅并联压敏电阻的输出端连接了较大的负载，导致输简游出可控硅触发电路输出电压低，减少负载即禅咐局可贺让。

ne555可控硅（ne555可控硅触发电路输出电压低）

用ne555设计的延时装置的原理是什么

用NE555设计的延时装置的原理就是以555延时电路为核心，555输出可驱动发光二极管，晶体管，可控硅，光耦，继电器等雀亮多种负载。

外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结冲饥内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上散岁返升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。

关键词：定时电容退耦电容可控硅定值电阻双向可控硅电阻 k电阻电容 ne555可控硅电容的金属膜电阻两个电阻钽电容达林顿三极管电容器电位器驱动电阻