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对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET,漏极到源极之间有一个本体二极管,其特性是:电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流,耐压=场效应管耐压,方向N沟道的是源极为正、漏极为负,P沟道相反!
只要加适当的电压,将MOS导通就可以了。
比如N沟MOS管,在GS两个脚加正电压,这时2A电流从S到D流过却租判可。如果MOS不导通,电流也可以从S到D流过,因为管内有二极管。(MOS管含哗导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。)
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当电路中产生很大的瞬间反向电流时,可以通过这个二极管导出来,不至于击穿这个MOS管。(起到保护MOS管的作用)
沟槽Trench型N沟道增强型功率MOSFET的结构,在N-epi外延层上扩散形成P基区,然后通过刻蚀技术形成深度超过P基区的沟槽,在沟槽壁上热氧化生成栅氧化层,再用多晶硅填充沟槽,利用自对准工艺形成N+源区,背面的N+substrate为漏区,在栅极加上一定正电压后,沟槽壁侧的P基区反型,形成垂直沟道。
MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流;而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。
MOSFET管是FET的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中,NMOS居多。
参考资料来源:百度百科 ——MOS(场效应管)
mos管本身自带有寄生拍知让二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
要考虑二极管的单向导通性,主要是其保护作用,G,S间的寄生电容较小,通常在几pf到10几pf左右猛喊。考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压,所以通常会在G-S之间加上TVS,防止G-S击穿。
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NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时袭局的情况(低端驱动),只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了,漏极D接电源,源极S接地。
需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差,所以当NMOS作为高端驱动时候,当漏极D与源极S导通时,漏极D与源极S电势相等,那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压,漏极D与源极S才能继续导通。
存吵银在。
根据查询相关公开信息,工程中实际的MOS管内部一般都有一个二极管,伏弊称为寄生二极管,寄生二极管都存在。
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写缺碰族为MOSFET,属于绝缘栅型。
一般是起保护作用,并且一般采用反向二极管或者稳压二极管。
原因:MOS管电阻比较橡世枝大,栅返猜极电容容易积累电荷并且不容易放电,因此如果有静梁敏电感应的话很容易引起栅极产生高电压,击穿mos管,而为了保护mos管可采用反向二极管或者稳压二极管使高压可以通过反向击穿放出
内部有一个二极管的场效应管叫MOS场效应管。MOS场效应管全称拦茄型金属(M)-氧化物(O)-半导体(S)场效应管,一般称为绝缘栅极场效应管。
MOS管的栅极是由二氧化硅与另两个电极隔离的,其电阻极高,容易感应静电纳和,导致击穿烧毁,为了防止静电的积累并一个雪崩二极管上去,当电压超过一定值时雪崩二极管反向击穿释放电简猜荷,从而起到保护MOS管的作用。雪崩二极管的反向击穿是可逆的、可恢复的,自身不会损坏。
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