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1、MOSFET由三个极层组成,包括:源极(source):连接到N沟道区域,电流进入晶体管的端点。汇极(drain):连接到P沟道区域,电流流出晶体管的端点。连接极(gate):与N沟道区域相隔离,通过一层氧化膜与N沟道区域相连。
2、mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。
3、工作原理:MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
只要加适当的电压,将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管,在GS两个脚加正电压,这时2A电流从S到D流过却可。如果MOS不导通,电流也可以从S到D流过,因为管内有二极管。(MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。
mos管作为二极管原理MOS管,即金属-氧化物-半导体管,是一种三极管。它由一层金属-氧化物-半导体材料组成的沟道结构。这种结构使得MOS管具有高阻断电压、低漏电流、高电流增益等优点。MOS管主要分为两类:nMOS和pMOS。
二极管就是二极管,非常多,为什么要用MOS管实现呢?要是用三极管,还可以当二极管用。用C-B两个脚,就是二极管。
CMOS成电路中的二极管一般用PMOS或NMOS实现,把MOS管中的栅极和漏极短路就可以得到类似于二极管的I-V特性。
MOS管做二极管都是在大电流场合做反接保护的,内阻低,都是毫欧级的。
因为mos管通入的是交流电。MOS管通常被用作电源开关使用,通常使用PMOS做为上管,将NMOS做为下管使用。当然也有反过来使用的场景,但使用较少。此贴为科普贴,就不做累述了。
MOSFET开关时间改变电压的原理其实就是PWM(脉冲宽度调节)控制,开关电源里面的MOSFET都是和电感或者电容这些储能元件配套使用的。一般情况下MOSFET开的时候会向电感、电容这些元件中储存能量。
对于感性负载,电流不可能突变,因此必须用前切模式。当电压突变,电感电流缓慢上升,不会有问题。关断的时候,必须等电流降到0才可以关闭MOS,这个时刻会比电压回零滞后一点。如果不然强行关断所产生的反电势必烧MOS。
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