二极管mos管（二极管 mos）

发布时间：2023-07-10

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mos管作为二极管原理MOS管，即金属-氧化物-半导体管，是一种三极管。它由一层金属-氧化物-半导体材料组成的沟道结构。这种结构使得MOS管具有高阻断电压、低漏电流、高电流增益等优点。MOS管主要分为两类：nMOS和pMOS。

只要加适当的电压，将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管，在GS两个脚加正电压，这时2A电流从S到D流过却可。如果MOS不导通，电流也可以从S到D流过，因为管内有二极管。（MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。

二极管就是二极管，非常多，为什么要用MOS管实现呢？要是用三极管，还可以当二极管用。用C-B两个脚，就是二极管。

CMOS成电路中的二极管一般用PMOS或NMOS实现，把MOS管中的栅极和漏极短路就可以得到类似于二极管的I-V特性。

MOS管做二极管都是在大电流场合做反接保护的，内阻低，都是毫欧级的。

1、pn结的反向击穿当外加电压超过一定值时，少数载流子的数量超过了多数载流子数量的两倍时就会发生反向击穿而使二极管损坏。

2、MOS管的栅极是由二氧化硅与另两个电极隔离的，其电阻极高，容易感应静电，导致击穿烧毁，为了防止静电的积累并一个雪崩二极管上去，当电压超过一定值时雪崩二极管反向击穿释放电荷，从而起到保护MOS管的作用。

3、MOS管的原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

4、一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。

1、这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。

2、MOS管有电容效应，栅极串电阻是调节RC常数，控制管的开通延时，电阻上并联二极管，是为了及时让栅极的电荷释放掉，是管子正常关闭，这种二极管要用快恢复二极管。

3、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

4、这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。

5、这个叫寄生二极管，当电路中产生很大的瞬间反向电流时，就可以通过这个二极管导出，保护了MOS管的D极和S极。如果没有这个二极管，就有可能击穿这个MOS管了。

6、不是栅-漏吧，应该是漏-源才是。这个是在制造过程中，MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起，而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS：不是故意加上去的。

MOS管的定义：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。其属于半导体主动元件中的分立器件，能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。

相当于快恢复的二极管，应为MOS管的工作频率比较高，所以它里面的体二极管工作频率也要高，所以相当于是快恢复二极管。

二极管mos管（二极管 mos）