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PC817的参数有一定的离散性,你在提问中所说的这种If和Ic之间的比例关系也在它的参数范围之内,你所列举的这种情况可能出现,但也可能是别的比例关系。
要看单片机Io口的驱动能力,1mA电流,是没有问题的。你是利用Io口的输出电流,最好串一个2k的电阻。
一般电流控制在5~20mA,最大50mA。用5V电源驱动,可以串联电阻R=5/0.01=500R,所以你可以选择电阻200R~1K,建议取值330~510R。
需要综合考虑电路的带载能力,含输出电压,电流,阻抗等因素,控制端电压变化范围为0.3~4V,电流不能超过20mA、PC817受控端最大耐压30V,最大电流30mA。依据这些参数,把外围电路设计好,就能正常工作了。
一般电流控制在5~20mA,最大50mA。用5V电源驱动,可以串联电阻R=5/0.01=500R,所以你可以选择电阻200R~1K,建议取值330~510R.在驱动电压恒定的情况下,串联电阻越大,电流越小。
1、一般电流控制在5~20mA,最大50mA。用5V电源驱动,可以串联电阻R=5/0.01=500R,所以你可以选择电阻200R~1K,建议取值330~510R.在驱动电压恒定的情况下,串联电阻越大,电流越小。
2、极限电流可以达到50mA,但一般用到20mA就足够了。要同时满足5V、24V,要看你的输出负载情况。
3、一般流过光耦发光管的电流按3-10mA来选择电阻计算即可。第二个问题,如果光耦数量少(不多于5个且参数必须一致)是可以工作的,但不推荐这样接,因为同时开可能会有问题。
不要光看发光二极管一侧的电流,还要看光敏三极管侧的电源电压和负载电阻大小。
把输入端的1k电阻换成370欧姆,应该是光通量不够,同时接收管温度低的时候灵敏度也降低了。你可以简单并个1K的电阻,吧限流电阻减少到500欧。
光耦带负载电压就降低参考以下原因与解决办法 所谓恒压源,是指内阻为0的电压源,它有无穷的功率,这是不可能的,所以我们称之为理想电源,它是不存在的。
PC817的参数有一定的离散性,你在提问中所说的这种If和Ic之间的比例关系也在它的参数范围之内,你所列举的这种情况可能出现,但也可能是别的比例关系。
弱爆了的话就驱动不了受光侧的光敏三极管。老化概率符合泊松分布,每个光耦厂家都应该有自己的老化率计算公式。只要记住:电流大老化快,但是光强强;电流小老化慢,但是光强弱。具体怎么能够让寿命最长需要平衡的。
1、光电耦合器由于内部二极管的阀值原因,我们为了防止因电压波动等外部原因或器件本身阀值的离散性所以在使用时常要加高他的工作电压,为了方便我们一般就用系统的工作电源,这样我们就需在外加一限流电阻来进行保护。
2、光耦驱动电路原理:电流通过5V电源,送低电平到发光二极管,因为有电流通过而发光,电阻R2,T1就导通,T1的E和C,到地,光耦的发光二极管,电源VCC通过R3,到地,致使三极管接收端导通。
3、,驱动电流一般在2~20mA2,对普通光耦来说,一般不提输入电阻。
4、光耦里的触发管导通,可控硅的控制极得到触发信号,可控硅导通。R2,R3的取值可以满足要求,这个取值不是太严格,只要能满足可控硅的可靠触发即可(RR3的取值会在一定程度上影响可控硅的导通角)。R3也可以不用。
5、据分压原理可知,即使干扰电压的幅度较大,但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小,只能形成很微弱的电流,由于没有足够的能量而不能使二极体发光,从而被抑制掉了。
6、共模抑制比很高 在光电耦合器内部,由于发光管和受光器之间的耦合电容很小(2pF以内)所以共模输入电压通过极间耦合电容对输出电流的影响很小,因而共模抑制比很高。
1、主要的是隔离电压和最大通过电流50mA左右 常用参数 正向压降VF:二极管通过的正向电流为规定值时,正负极之间所产生的电压降。正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。
2、r2561光耦参数正向电压(VF):1V。
3、,驱动电流一般在2~20mA 2,对普通光耦来说,一般不提输入电阻。
4、首先,通常光耦的输入电流范围在2~20mA,一般大多数情况下用在5mA以下。对24V输入来讲,光耦压降3V,剩余电压27V,对8k电阻,光耦原边电流约3mA,满足其要求。至于22k电阻,要看具体应用。
光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电一光一电转换器件。它由发光源和受光器两部分组成。把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内,彼此间用透明绝缘体隔离。
答复:这个电路中的光耦可以直接将单片机的P4接地,P4应该设置为上拉输入模式,输入电流非常小,不会损坏光耦。
在微电流下,光耦即使可以勉强工作也会造成后级输入速度极其缓慢、高低电平不分等不可靠的问题(4069的输入阻抗虽然够高,但它的输入电容会使微电流下的输入信号前后沿变得非常慢)。所以从4069这一级想办法是不行的。
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