mos管的电流流向（mos管电流可以从s到d吗）

发布时间：2023-07-10

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电流流向不同。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。作用不同。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。

MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

注意源极漏极不是指电流的方向，源极Source是指载流子的起点；漏极Drain是指载流子的终点。在NMOS中，载流子是电子，电子从S源极出发流向其终点D漏极。电子从S流到D，电流就是从D流到S了。

mos管的电流流向（mos管电流可以从s到d吗）

如果是按电学的电流方向，从正极出发的理论，要把上边说的倒过来，即N沟道是从D流向S，P沟道是从S流向D。

场效应管的电流是漏源电流。可以从漏极流向源极，也可以反过来。场效应管是依靠电场效应来控制漏源电流的。用电压产生的电场来控制导电沟道的宽度，来控制电流。

G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。

首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。

可以流动，不会烧管。是否烧管决定于电流产生的功率。如果是VMOS管直接存在反向导通的寄生二极管，反向电流可以畅通无阻。

T3管属于NMOS管的，所以需要正向偏压Ugs0，另外，Uds0，所以则T3处于临界导通状态，则T1，T2管的偏压同样是正向偏压Ugs0，另外，Uds0，所以，三个管子都是导通的。

可以启动发动机。常开键连接汽车发动机启动电机的控制回路，常闭键连接汽车主电源。当汽车发动机运转时，只需按下启动按钮，起动机就会电动运转。当按钮松开时，常闭触点连接到汽车的主电路。

场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

高压mos管与低压mos管的差异是：耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。