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三极管处于放大区,ube的电压在0.65v-0.7v之间。在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量。
放大电路的ube都是一个定值,对硅管而言,该值为0.7V,锗管为0.2V。
都有关系,三极管要想放大作用,需要做成共发射极电路,其中Ib是基极电流,属于三极管偏置电流,让三极管离开死区,处于放大区域。
NPN Ubc=2-0=2V Ube=2-6=-4V 实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简单,BE之间的PN结在这个正偏电压下正向到通,故Ube只能是0.7V左右,另外还有一种可能就是该管的BE之间大PN结开路损坏了。
发射结正偏、集电结反偏是三极管工作在放大状态的条件,发射结的特性曲线类似于PN结的正向特性曲线,发射结电压Ube并不是固定值。但为了简化放大电路的分析,将硅管的Ube取为固定值0.7V。
先回答你的题目:做题目过程中,为了简化,一般假设这个值恒定为0.7V。实际上不是,随着BE电流增大(其实也就是基极电流Ib)UBE的电压也会适当增加,但偏差不大。
三极管处于放大区,ube的电压在0.65v-0.7v之间。在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量。
Ube=2-6=-4V 实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简单,BE之间的PN结在这个正偏电压下正向到通,故Ube只能是0.7V左右,另外还有一种可能就是该管的BE之间大PN结开路损坏了。
截止状态:Ube0.7V; (如果是锗管则Ube0.3V)放大状态:Ube0.7V,UceUbe;饱和状态:Ube0.7V,UceUbe。你的图(d)中,三极管是NPN。 Ube=75-10=0.75V ;Uce=3-10=0.3V 。
它是分析放大电路技术指标的重要依据。硅管三级管的开启电压为 0.5V,发射极导通电压Uon约为0.6~0.7V.因为晶体管的伏安特性是非线性。且开启电压、等效电阻是存在一点不稳定的。所以Ib存在一点波动。
所以,晶体管在正常情况下Ube不会超过导通电压,如果超过了(比如0.8V甚至更高)则表示管子坏了,当然就不能工作了。
那个Ube是三极管的导通电压,三极管的Ube两端大于导通电压时才能工作,这个Ube如果题目没有说明的话,就默认为0.6(有的书上会说明默认为0.7),硅和锗的导通电压(又叫开启电压)不同,锗三极管的开启电压是另外的值。
三极管正常工作时,Ube=0.7Ⅴ开始导通,即可进入放大区,大于0.7,也只是稍大一点,仍在放大区。但是强制超过0.8Ⅴ(也叫大于0.7),三极管就烧坏了。
①、向这硅三极管BE极的导通电压在0.6V~0.7V之间即可导通工作,不是说非得大于0.7V才能导通的。
开关管一定是让三极管饱和导通和截至,饱和导通时驱动电流足够大,三极管进入饱和区,饱和区的特点是UCE~0.3V(对一般的小功率管子而言)。至于UBE,一般近似于0.7V。
你好!Ube=0.7V Uce=0.3V 此时三极管应该工作在饱和导通状态。在饱和导通状态时如果Ub>Ue三极管为NPN型,如果Ub<Ue则为PNP型。仅代表个人观点,不喜勿喷,谢谢。
深度饱和时,发射结正偏,集电结也正偏,但此时Uce并不为0,一般最小在0.3V左右,即饱和管压降。
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