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1、参数几乎一模一样，光耦816反向耐压Vceo=70V，光耦817反向耐压Vceo=35V略低，频率同80KHz。光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
2、第一：816小于817即816＜817；第二：816是偶数，817是奇数；第三：光耦816和817的差别，输出部分的耐压不一样：PC817输出部分的耐压Vce0为35V，PC816输出部分的耐压Vce0为70V。第四：816和817之间的相差数最小整数是1。
3、这是不可以替代的，因为他们二者之间没有着太大的区别，那么后者是有极强的优化。
4、峰值正向电流不同 光耦PC817：光耦PC817的峰值正向电流（ICE max）为1A。光耦PC817B：光耦PC817B的峰值正向电流（ICE max）为5A。
5、光耦pc817坏了是可以替换jc817的，这两种光耦参数及引脚都一样，只是不同的厂家型号前缀不同。
光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
它的具体参数如下：正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。
HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器，采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。
光耦817是亿光光电耦合器的一种型号EL817，是一种把红外光发射器件和红外光接受器件以及信号处理电路等封装在同一管座内的器件。PC817是常用的线性光耦，广泛应用在测量仪器等电路之间的信号传输。
HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器，采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。
光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
只有耦合系数不同 光耦817B档与C档只有耦合系数不同，其他方面是没有区别的，817C同B一般电路，可以直接换，看不出差异，如果有影响，调整一下光耦的供电电阻，改变增益，即可满足要求。
光耦817B和光耦817c的主要区别表现在CTR值上。CTR是发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
档位不同 PC817B系列产品是近段时间浮出水面的引起业内人士广泛关注的一种新的光电耦合器。基于自身体积小、寿命长、无触点、可靠性高、抗干扰能力强等优点。
CTR不同，及电流转换比，B档130-260% C档200~400 D档300-400%。C档的电流传输比要比B档更高些。C档的电流传输比是200~400%，B档是130~260%。
这个区别就是最后的字母是不一样的。有可能只是这个设备的位号不一样，所以其实本身还是相同的设置。
它的具体参数如下：正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。
光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。
因为这符合参数手册给定的条件。PC817的基本参数：集-射极电压额定值Vceo为35V，Ic为50mA，Pc为150mW。实际工作中，集电极供电电压可在额定值以内选用，只要注意实际的Vceo*Ic≯Pc就行。
1、它的具体参数如下：正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。
2、HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器，采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。
3、光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。
4、光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
5、光耦817B导通电流最小是130mA，最大是260mA，正向压降为6V，最大耐压为35V。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
6、因为这符合参数手册给定的条件。PC817的基本参数：集-射极电压额定值Vceo为35V，Ic为50mA，Pc为150mW。实际工作中，集电极供电电压可在额定值以内选用，只要注意实际的Vceo*Ic≯Pc就行。
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