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mos管3400（mos管3400和3401能替换吗）

发布时间：2023-07-11
阅读量：35

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ao3400可以驱动空心杯嘛

超声波驱动过程中，Q1（AO3400）的D-S两端电压会达到电源电压的2-3倍（24-36V），AO3400的VDS极限耐压只有30V，这里至少是个隐患，把12V电压降到7V-9V试试。

单片机的芯片输出端，输出电流是有限制的，超过了最大电流就会损坏相应的管脚。一般最大电流值不能超过20毫安。

ao3400场效应管简介：ao3400是一种单极型MOSFET，采用GaAs材料制成。它具有输入电阻高（5Ω）、电流放大倍率大（50-）以及工作温度范围宽等优点，可广泛应用于各种数字信号处理设备中作功率开关器件。

IO口状态影响的。首先，你确定单片机的复位前和复位时，IO的状态。然后给MOS管加不同的驱动方式。记住，要加下拉或者上拉，消耗掉高阻态、干扰等给MOS的GS充的电，这个根据具体情况而定。没有图。。只能说这么多了。

你好，飞行器我没做过，不过看电机参数的话可以用L9110驱动芯片，外部电路也简单。

mos2300可以用mos3400替换吗?

1、①、关于以上的这MOS管Sl2302是不能替代AO3400A管子的，原因是，向那SI2302属于N沟道MOS场效应管，参数是//耐压：20V//电流：1A，而那AO3400A也属于N沟道MOS场效应管，参数是//耐压：30V//电流：7A//。

2、对。选用开启电压低一些的，Vdss＞5V，Idss＞100mA即可，可以用AO3400。由于MOS导通电阻很小，可以忽略其压降，发光管压降按2V计算，发光管电流取10mA即可，所以R=(VCC-2V)/10mA，如果VCC是5V那么电阻R=300Ω。

3、MOS管的衬底B与源极如果不连在一起，则D、S极可以互换，但有的MOS管由于结构上的原因（即衬底B与源极S连在一起），其D、S极不能互换。作开关管用的场效应管，一般都是功率型NMOS管，就属于这种特例。

AO3400-ASEMI场效应管的栅极阈值电压是多少?

1、ASEMI的AO3401是属于场效应管，属于电压控半导体器件，AO3401具有高输入电阻、低噪声、低功耗、无二次击穿现象、安全工作区宽、温度和辐射影响小等优点，AO3401特别适用于高灵敏度和低噪声电路。

2、AO3400的栅源电压(VGS)为±12V。AO3400的电性参数是：持续漏极电流(ID)为8A，漏源电压(VDS)为30V，栅极阈值电压(VGS)为4V。

3、功耗（PD）：4W 二极管正向电压(VSD)：2V 最大脉冲正向电流ISM：30A 零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：3 AO3400是SOT-23封装系列。

4、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。

5、阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。

6、工作温度Tj -55~+175°C，储存温度Tstg -55~+175°C，最小漏源击穿电压V(br)dss 100V，最大零栅电压漏电流Idss 1uA/100uA(Tc=125°C)，最小栅极阈值电压Vgs(th) 5V，最大栅极阈值电压Vgs(th) 5V。

MOS管如何使用?

使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。

MOS管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。

(3)、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无限大。

mos管3400,做调光控制,电流能做1a吗

K的电位器与其并联，中间头接NMOS管的G极。这个电路要求场管电流要远大于1A，不能用小电流的，否则在1A电流下没有恒流作用。

短时间可以的，但发热巨大，所以一般设计的时候每换to220实际电流取值10a，这样就好多了。

MOS管是电压控制型器件，只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是A级的。

不可以。MOS管是一种半导体器件，通过控制栅极电压来调节电流的流动，它有一个特定的工作区域，称为饱和区和线性区，在饱和区，MOS管可以提供较低的电阻，使电流能够流经，而在线性区，MOS管的电阻较高，电流受到限制。

接个mos管在你电源输出端，然后用个小电阻对输出电流采样，采样得到的电压反馈回来控制mos管的门级，即可改变mos管的导通电阻。

ASEMI低压MOS管AO3400的功耗是多少?

功耗（PD）：4W 二极管正向电压(VSD)：2V 最大脉冲正向电流ISM：30A 零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：3 AO3400是SOT-23封装系列。

ASEMI的AO3401是属于场效应管，属于电压控半导体器件，AO3401具有高输入电阻、低噪声、低功耗、无二次击穿现象、安全工作区宽、温度和辐射影响小等优点，AO3401特别适用于高灵敏度和低噪声电路。

AO3400是N型MOS管，AO3400在SOT-23封装里引出3个引脚，是一款高效mos管。AO3400的脉冲漏极电流(IDM)为30A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3400的栅源电压(VGS)为±12V。

is281-4完全可以替代后者，都是4路光耦，也可以相互替代，两者没什么大区别。2502主要参数：20v，2a，3w。3404主要参数：30v，8a，4w。

关键词：导通电阻 开关器件 电阻 输入电阻 功率开关器件

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