低导通电压的mos管（低电压大电流mos管）

发布时间：2023-07-11

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1、电压过低会导致mos管导通不完全，内阻增大，发热量增加。驱动电压大小影响导通电阻，电压越低电阻越大，部分情况会导致保险丝烧断。mos管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。

2、因为栅源极之间的电压配置不合理，需要保证栅源极之间的电压高于导通电压才行。栅源之间至少要加上12+5V才可以。且应当尽量避免NMOS的源极处于浮动状态。源极：场效应管。

3、作为跟随器，输出电压幅度将小于输入信号幅度，因此3V电源很难输出2V电压。应该使用P沟道管，做成共源放大电路（上面为S极），才能将电源电压满幅度输出。

4、就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。你在栅极施加的电压只有5V（对于单管而言我认为栅极电压低了，一般应该在12V左右比较好），这个电压下MOS管的夹断电阻依然比较大，所以输出只有8V。

因此，如果我们想让MOS管导通，需要将G端连接到高电平电源。要使MOS管的使能端为低电平，可以通过连接一个电阻器来将使能端连接到地面。当地面电势为低电平时，使能端口的电势也为低电平，从而使得MOS管工作被禁止。

一般市面上最常见的是增强型N沟通MOS管，你可以用一个电压来控制G的电压，MOS管导通电压一般在2-4V，不过要完全控制，这个值要上升到10V左右。给你推荐一种方法。

N沟道的MOS管导通只要Vgs大于其开启电压Vth即可。但其阻抗R=1/K（Vgs—Vth—Vds），所以在MOS管做好后，其阻抗与Vg成反比。

1、你这个是不是要的是Vgs（th）=2-4V呢，而不是Vgs=2-4V。Vgs（th）是MOS管的开启电压，一般来说，只有Vgs（th）才会这么小的。

2、找不到最大电流60A的，瞬时脉冲电流可以超过60A，但是连续电流最大只有50A的，导通内阻也没有那么小的。MTP50P03和MTB50P03，最大连续电流50A，瞬时脉冲电流150A，开启电压典型值5V，最大值2V，导通电阻20mΩ。

3、N沟道增强型：当UgsUgs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。耗尽型的管子比较少见。P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通，这个Ugs(off)是一个正数值。

4、你的板卡输出的电压已经有5V了，一般的NMOS管就都可以打通。并不是G极电压一定要小于2V，大于2V也可以导通。但是最好不要大于规格书的最大电压就可以了。

5、(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。

6、是100V10A的管子，一点余量都没有满载工作不可靠，可以选50N06，它是50A60V的。

低导通电压的mos管（低电压大电流mos管）

直流电子负载是一种用于测试直流电源输出的设备。它模拟了实际负载并对电源进行测试和评估。【点击了解详情】直流电子负载的主要作用是对直流电源进行负载测试。

直流电子负载是蓄电池组深度放电维护和容量检测的仪器，具有功率大、安全性高、使用寿命长等特点，在测试过程中能实时显示电压、电流等数据；经过参数设定后，自动恒流或恒阻控制完成蓄电池容量试验或直流电源负载容量试验。

直流电子负载是一种电子开关设备，它可以吸收直流电并将已吸收的直流电转移、存储或提供给电网。直流电子负载可以调节或调节设备汲取的电流，并且其端子输入特性符合电网要求。

直流电子负载是一种用于测试和模拟电源的电子设备。它可以通过模拟电子负载来模拟电器的负载，以便测试电源的性能。负载响应是指负载对电源输出的变化速率的响应能力。

两个是完全不同的设备。直流电源是输出设备，输出直流。直流电子负载是输入设备，用来测试直流电源的各项指标，可以设定为电阻模式，恒压模式、恒流模式、恒功率模式。它可以用以上几种模式来消耗直流电源的输出。

直流电源是向外部提供能量的设备或者装置，具有输入输出电压，输入输出电流，负载调整率很多指标。一般由变压器，整流二极管，调整三极管，滤波电容等元件组成。直流电子负载是一种耗电装置。