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mos管驱动感性负载（什么叫mos管的驱动能力）

发布时间：2023-07-11
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本文目录一览：

调试mos电路有哪些注意事项

1、使用MOS管的注意事项 1)为了安全使用MOS管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

2、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。

3、注意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的2项不再适用。

4、可以。如果要工作在开关状态，就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。

5、首先，栅极串联10欧左右的电阻，降低LC振荡电路的Q值。其次，驱动电路结构尽量简单，最好有隔离。最后，电阻限流，然后接入到MOS管的G极即可。

6、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

场效应管5V驱动12V直流电机问题?

不能，电压不够，实际上是提供的功率不够，因为电压乘以电流等于功率，即电源提供的功率不足，相差达一倍，如果电机不带负荷，或许可以低速转动，但是没有什么意义。

这是场效应管呀，是电压控制元件，没有输入电流，串联电阻有什么用？应该减小输入电压电压，即应该减小那个7圈0.35的线圈圈数。

这是可以的，如下图：1）5V电源接到继电器的线圈引脚，这里加了一个三极管放大，2）继电器的触点接12V电源以及直流电机后接地。

不会烧，但转速会比12V的时候慢很多。力矩也更小。

整流电路用mos管,IGBT行不行,在感性负载会不会不会出现负电压?_百度...

在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

每个管子过的电流大了，所以数量就少，损坏的几率就小。再往大了的机子，比如500的，就算用IGBT单管，依然数量很多，损坏几率还是太大。

从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合，通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流等问题。

对于感性负载，电流不可能突变，因此必须用前切模式。当电压突变，电感电流缓慢上升，不会有问题。关断的时候，必须等电流降到0才可以关闭MOS，这个时刻会比电压回零滞后一点。如果不然强行关断所产生的反电势必烧MOS。

MOS管与IDBT都是电压驱动元件。也就是栅极电压控制漏极或集电极电流。

MOS管一般用在小功率焊机上，MOS管一般特性就是小电流比较稳定，成本低廉，小型号民用机用的比较多。IGBT一般用在大功率焊机上，稳定性和频率比MOS管更稳定，只是造价比较高，一般用在工业焊机。

如何选择最适合的MOS管驱动电路?

1、选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

2、选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。

3、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

4、降压电路驱动电路的MOS管尺寸选择，选择依据如下：首先，确定降压电路的最大输入电压，MOS管的耐压，需大于等于3倍以上输入电压，确保MOS管不会被击穿。

5、如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。

mos管哪个参数决定了驱动能力

mos驱动需要的电压，而建立电压需要电流，建立电压的电流大小和开启电压、结电容、开关频率及分布电阻、电容有关。实际工作中如果频率高，分布参数大，则计算驱动电流误差较大，还是应该结合实际实验数据分析计算。

，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1）只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。

因为mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必须在电源电压上加120伏才有足够的电流输出。

步进电机,分立元器件MOSFET构成驱动电路。

这种开关功能被驱动电路提供，驱动电路排列，分配和放大来自信号电路的脉冲序列。步进电机的绕组以指定的次序被激励。集成电路的实用性已经使得对于额定电流小于3安培的小型步进电机使用分立元件构造驱动电路是不必要的。

看了一下啊，这个电路应该是一个步进电机的驱动电路，六个增强型N MOS构成3项的H桥。

这让MOSFET和他们最主要的竞争对手BJT相较之下更为省电，而且也更易于驱动。

甚至还可能由于晶体管的热击穿，使电路不能正常工作。因此该驱动电路一般应用于驱动电流较小、控制精度较高、散热情况较好的场合。

先确定电源的电压，以及转换器的输出电压和最大电流负载。有了这些基本参数后，就可以计算出开关管的最大电流值，也就是电路最大功率。 选择开关管，并计算出开关管的通断频率。

单片机可以使用稳定性更好的独立电源，而步进电机使用电压适当容量较大的另一电源，两个电源的负极共地(接GND)，单片的输出电流较小，不能直接驱动步进电机，要经过驱动器，或驱动芯片，或由分立元器件搭建的驱动电路。

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