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推挽驱动mos管（推挽驱动mOS管发热）

发布时间：2023-07-11
阅读量：30

本文目录一览：

推挽输出的灌电流和拉电流的问题?

1、一般是数字电路中讲到这个问题。当数字电路的输出端，输出低电平的时候，外接器件将把电流，“灌入”数字电路的输出端。当数字电路的输出端，输出高电平的时候，外接器件将从数字电路的输出端，“拉出”电流。

2、灌电流一般是输出端对负载提供电流，其提供电流的数值叫“拉电流”；低电平输出时，一般是输出端要吸收负载的电流，其吸收电流的数值叫“灌（入）电流”。拉电流是逻辑门输出为高电平时的负载电流。

3、驱动能力不一样，对于单片机而言，它们输出拉电流的能力一般都很弱（小于5mA），输出灌电流的能力相对较强，一般为5-10mA。

4、如果你有6个引脚，每个引脚都输入20mA，则符合要求。而输出电流，又叫拉电流，一般因单片机而异，带有推挽输出的单片机，拉电流也可以达到20mA，但最大也不超过120mA，而内部弱上拉的单片机，一般拉电路只有50--200uA。

5、电流方向是从负载流入输出端 —— 灌电流。输出高电平时，电流方向是从输出端流向负载 —— 拉电流。灌电流大于拉电流，所以TTL一般用低电平驱动负载 —— 低电平有效。TTL芯片已经被CMOS芯片取代，COMS输出电流大小一致。

半推挽震荡电路用Mos管实现半推挽震荡电路。现在是用两个三极管驱动lc实...

mos是电压型器件，栅极输入阻抗高，对电压非常敏感，只需uA级或mA级电流即可启动。而三极管的驱动电流较大，导通时间相对长，开关损耗就大。同时，mos的Rds小，压降小，自身的耗散功率就小。

是两个参数相同的功率 BJT 管或MOSFET 管，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。

这是个自激式振荡电路。原理大致这样：接通电源后，流经两管的电流同时快速上升，但由于两管参数及电阻的差异，其中一个管会提前达到饱和。

推挽电路中mos管是并联吗

理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。

mos管并联一般都是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。

个三极管串起来叫推挽工作。一个导通时另一个截止。另一个导通时这个截止。2对并接，如果输出端也并只是增加输出电流，如果不并，通常用作逆变电路或改变直流电机方向。

推挽驱动器只用到两只沟道MOSFET，并将升压变压器的中性抽头接于正电源，两只功率管交替工作，输出得到交流电压。由于功率晶体管共地，所以驱动控制电路简单。

正电源开关mos接法。根据查询相关信息显示，这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。

按管子类型分有晶体管推挽电路、MOS管推挽电路、IGBT推挽电路、可控硅推挽电路等，按单臂管子的组合形式分有单管推挽电路、复合推挽电路、多管并联推挽电路等。主要用途有音频功放、开关电源、逆变器、电机驱动等。

关于推挽电路中推挽三极管的接法问题

1、因为MOS管主要是要电压信号推动，对于电流放大的要求不高，所以我看这两种都可以。但是其中，下面的是射随器的接法，可能输入阻抗要高些，个人喜欢下面的下面的方法。

2、A电路是共集电极互补推挽电路，也就是互补推挽型电压跟随器，无电压增益，这种电路突出的特点是输出阻抗低，带负载能力强，常用做恒压输出电路。

3、当三极管处于导通状态时，推挽电路会把电流从输入端推到输出端。当三极管处于断开状态时，推挽电路会把电流从输出端挽回到输入端。通过控制三极管的导通状态，就可以控制电流流动的方向。这就是推挽电路的工作原理。

4、这是个自激式振荡电路。原理大致这样：接通电源后，流经两管的电流同时快速上升，但由于两管参数及电阻的差异，其中一个管会提前达到饱和。

5、、8550系小功率管，其Pcm仅1W，故易坏。你可用B77D882（它们的Pcm为10W、Icm为3A）构成互补管，并加一定面积的散热片。此外你还要测下功放管的静态电流是否过大。若方便，你选用功放IC制作扩音器更合适。

6、确定是下三极管工作在截止状态？这个和负载的接法有关吧，一般out端接一个电阻到地（或者Vs/2），A点输出0（这个0只是逻辑状态，具体的电压值可能是低于Vs/2就算输出逻辑0了）下管应该导通才对。

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