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mos管驱动电机电路设计(mos管驱动电压是多少)

发布时间:2023-07-11
阅读量:37

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mos驱动电路图看不懂

1、这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上,而不应该挂在S极上,也就是说:要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时,gs之间的电路是48V,超过了其最大耐压为20V。

2、Q1截止时,如果没有后面的Q2,则RR3会将电压平分;不过这里Q2基极电压受BE结正向压降限制,不会是65V了,而是约为0.7V。

3、MOS开关电路图电路图如下:AOD448是30V 75A的管子,是用5V驱动的,偏高了点。可以用AOD442,AO3416等管子,电压用5V就能驱动。当电压为5V时,只有26豪欧。电流2到3安没问题。

4、Q5为NMOS管,R12为限流电阻(或是偏置电阻),源漏之间的二极管为保护二极管。 源极接地,电压为0,当栅极(即图中右眼驱动1)的电压大于开启电压Vth(一般为0.7V)时,就可在源漏之间形成导电沟道,产生电流。

5、因为q1和q3是高端驱动,采用了pnp管子就避免带来驱动电路设计的麻烦。如果采用三极管和mos管的结合,那么只要把q2和q4替换成n沟通的mos管就可以,因为n沟通的mos管比较成熟,也比较常见,价格也ok。

6、电路原理图:单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西, 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以,要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲,最好用N沟道的MOS。

求高手分析下这个mos管驱动电路的原理,主要讲解下两个电阻的选型_百度...

R97电阻有两个作用,输入来的信号分压, 和输入电流限流。

这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上,而不应该挂在S极上,也就是说:要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时,gs之间的电路是48V,超过了其最大耐压为20V。

在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。

二极管起保护作用。当漏源电压较大时,在管子发生源漏穿通之前,二极管先发生反向击穿,从而保护了管子。 如果二极管为稳压管的话,就是用来恒定漏源电压的,从而通过选择稳压管可以设置电流的大小。

输入控制信号是PWM1 当PWM1是高电平时,Q2导通,Q1也导通,+5V通过QDR1给MOS_1提供(大电流)高电平;当PWM1是低电平时,Q2截止,Q1也截止,Q3因基极电阻R6导通,MOS_1为低电平。

Rg 的数值。MOS管的输入电阻很大,这个电阻不是为了提升输入电阻或者限流作用。在低频条件下,电阻小,可忽略。在高频时,MOSFET的输入阻抗将降低,而且在某个频率范围内将变成负阻,会发生振荡。

MOS管直流电机驱动电路

图中,上桥臂Q1和Q3采用PNP型三极管,Q2和Q4采用NPN三极管,因为Q1和Q3是高端驱动,采用了PNP管子就避免带来驱动电路设计的麻烦。

H桥高边驱动MOS管(上面两个)应该要用P-MOS;分左右两边半桥,单边半桥共用同一个控制信号,则同一时间只会有一个(上或下)MOS管导通。

这是一个电机驱动电路,MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管,在其栅极施加正电压将形成导电沟道,MOS管的漏-源极呈现低阻状态,相当于开关接通,电机转动。

两种接法供参考,前一种作为开关用比较简单。后一种接法用在频率比较高的场合比较好。

你发的图是无刷电机电调驱动,有刷和无刷是不一样的。上面的MOS管都是N沟道管。

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