可控硅常闭（可控硅的关断电路）

发布时间：2023-05-17

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本文目录一览：

1、可控硅能实现和接触器一样有常开常闭吗？
2、可控硅为什么会关断？
3、怎样用控制可控硅的温度控制器控制接触器
4、如何保护可控硅不被过压、过流击穿
5、ka可控硅ka表示什么

可控硅能实现和接触器一样有常开常闭吗？

常开常闭看你怎么理解，双向晶闸管有触发信号时是导通的，没有触发信号别是关断的，单向晶闸管则是触发导通后加反向电压或电流敬乎为零亮帆悉才关断，接触器的主触头全部都是常开（动合）轿瞎的，没有常闭的，辅助触点为了满足控制逻辑要求，才有常开常闭。所以，要满足你的要求，用IGBT管更容易实现些。

可控硅为什么会关断？

这说明正向电压未超过导通电压值

灯泡亮是因为控制极加上了一定的电压，如果此时断开控制极的控制电压羡孝，在正向电压大于导通电压的掘型情兄散稿况下，灯泡才会亮

可控硅常闭（可控硅的关断电路）

怎样用控制可控硅的温度控制器控制接触器

可磨氏控硅温度控制器分常开或常闭控制。

若温度高需要动作，就串常开的唤厅，类似温度高就启动散热功能

若温度高就要断开，就串常闭瞎链散的；类似现在常用的开水壶，水开了就断电

与接触器的线圈串在一起即可

如何保护可控硅不被过压、过流击穿

这里介绍一种采用霍耳元件作为传感器的可控硅过流过载保护电路，此外它还具有过热保护功能和声光报警功能．

它的基本工作原理是这样的，由两个U形磁体与两个三端型集成霍耳元件组成一个带有一定间隙的闭合磁路，作为电流的检测系统，通过负载及可控硅电流的导线从磁路平面的中心穿过，在磁路中产生一个交变磁场。当通过可控硅的电流值在额定范围之内时，它在磁路中所产生的磁场强度较小，低于霍耳元件的动作磁场强度，保护电路不动作。而一旦发生过电流情况时，由于磁场强度大增，将超过霍耳元件的动作强度，霍耳元件将被触发翻转，同时也触发保护电路，使其关闭主电路可控硅的触发电路，并使可控硅在过零之后关断。

电路中IC1和IC2为霍耳集成电路ULN3020，在平时正常工作时它们的输出端役脚始终都为低电平，D2、D3截止，可控硅T1也处于关断状态，发光管L4不发光，正电源通过R6、L1、IC4、R5、VT到地形成一个回路，如果控制开关三极管VT的基极为高电平，它将处于导通状态，从而使过零触发器IC4开通，触发双向硅T3导通，负载RL得电工作，它们的电流将在磁路中产生一个交变磁场，陵举当磁场强度的峰值没有达到两个霍耳元件的开通磁场强度时，IC1和IC2都保持原态不变。而一旦由于负载不正常，或其他原因导致电流异常增大时，IC1和IC2中有一只将处于短时高电平衡汪闹输出状态，从而通过D2或D3触发可控硅T1导通，D5导通，使过零触发器IC4关断，而可控硅T3将在电源过零后关断。与此同时，发光管L4点亮，D4也导通，蜂鸣器BU发出报警声，可控硅T1能够一直保持导通状态，直到关闭控制电路的电源为止。

在这个电路中还有一套可控硅过热保护电路，其中IC3为一只TO－220方式封装的型号为67L070二脚温度传感开关元件，它的动作温度为70℃，在平时常温状态下为常闭状态。它被安装在可控硅T3的散热器上。当可控硅由于过负荷或其他原因而使功耗大大增加，一旦散热器的温度达到70℃时，IC3将从常闭转为常开，这时T2将通过R10触发导通，D6也导通，使IC4断电截止，同时也使可控硅T3截止。与此同时，D7也导通，发光管L3被点亮，D6导通，蜂鸣器BU工作，发出报警声音。可控硅T2也能够一直保持导通状态。最后直到关闭控制电源为止。

使霍耳元件动作的电流大小可以通过调整两个U形磁心之间的间隔来决定，对于本电路所使用的40A可控硅来说，应将通过它的最大电流限制在小于40A，这里所使用的磁心截面为5mm×4mm，两磁心之间咐罩的间隔约为2．0mm左右，但由于不同磁性材料导磁率存在的差异以及霍耳元件的参数差异，具体间隔可能略有不同，实际保护电流的大小最好通过实测决定，并用胶封固在印刷板上。对两只霍耳元件安装的要求是，对正磁心截面，印字全部朝向一个方向。只有这样才能使两只霍耳元件分别检测交流电流的正负半周。

为了作进一步的保护，在主电路还设有一个32A的空气开关，它的作用也是保护可控硅，同时也作为主电路的控制开关使用。

该保护电路的不足之处是当负载及电路发生严重短路问题时，对可控硅的保护作用略显不足，因为也曾经出现过可控硅被烧短路的情况，这主要是由于在保护电路动作之后，可控硅只能在电源过零之后才能自然关断，而空气开关的分断速度也是有限的。所以在必要时应采用“快熔”等其他措施来进行最后的短路保护。

该保护电路被大量应用在自行设计的4000W箱式电炉的温度控制器上，已经正常工作了四年时间，曾多次成功地避免了因负载异常而导致的过电流故障。