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这是一个单端反激电源的电源管波形。负脉冲为开关管导通时的VDS，此时变压器储能，初级电压为电源电压。负脉冲结束后，变压器向次级释放所储存的能量。
假设开关电源的效率，一般的都按80%计算，最好让负载的功率为开关电源标称输出功率的一半以上，那样效率会高点。测量出输出功率，近似计算输入功率。找个单相电表应该是比较容易的吧？连续工作整数个小时，计算输入功率。
开关电源有许多不同的组成结构(单输出、多输出、及正负极性等)和输出电压、电流、功率之组合，因此需要具弹性多样化的测试仪器才能符合众多不同规格之需求。
开关电源的振荡波形应该是脉动的直流，现在的波形是这样的，显然像自激振荡的波形，此时，开关电源是不振的，也没有正常工作。如果是自激振荡，开关电源应该无输出电压，又很可能击穿开关三极管。
这个波形是末端电容对变压器的激励电压进行滤波后的波形，将电容前的峰值电压降低之后，峰值电流也随之降低，这是对于接了LED负载后的效果。
额定容量是指主分接下视在功率的惯用值。在变压器铭牌上规定的容量就是额定容量，它是指分接开关位于主分接，是额定空载电压、额定电流与相应的相系数的乘积。
使用带宽限制功能，一般开关电源输出的纹波频率在0~20MHz范围。而高频同步开关噪声和信号反射等引起的噪声在0~1GHz范围。所以建议选择20MHz带宽限制，可将不必要的高频噪声滤除。
这是一个单端反激电源的电源管波形。负脉冲为开关管导通时的VDS，此时变压器储能，初级电压为电源电压。负脉冲结束后，变压器向次级释放所储存的能量。
如不打开电源内部，可用示波器测量电源电压输出端，可以看到比较微弱的，数十毫伏或更大些的三角波。不是很规则，噪音较多。
开关电源的振荡波形应该是脉动的直流，现在的波形是这样的，显然像自激振荡的波形，此时，开关电源是不振的，也没有正常工作。如果是自激振荡，开关电源应该无输出电压，又很可能击穿开关三极管。
你的高频炉应该是中频加热炉，驱动板是反馈信号放大作用，输出脉冲信号触发可控硅振荡电路工作，要用示波器测试波形，如果测脉冲波形直接找到连接可控硅控制极G端，另一测试点为C端。
地线夹300V的地啊，不过，被测开关电源必须用1：1的隔离变压器，不然示波器会烧。
这种电路框图看不到具体元器件的连接关系，也看不出地在哪？想测驱动波形就测MOS管栅源之间的电压脉冲信号就OK。
示波器和电源测量 整个开关设备的电压可能很高，而且是“浮动的”，也就是说，不接地。信号的脉冲宽度、周期、频率和占空比都会变化。必须如实捕获并分析波形，发现波形的异常。这对示波器的要求是苛刻的。
主板上的PWM(Plus Width Modulator，脉冲宽度调制器)芯片产生一个宽度可调的脉冲波形，这样可以使两只MOS管轮流导通。
脉冲的占空比由开关电源的控制器来调节。一旦输入电压被斩成交流方波，其幅值就可以通过变压器来升高或降低。通过增加变压器的二次绕组数就可以增加输出的电压值。最后这些交流波形经过整流滤波后就得到直流输出电压。
1、第一种应用，PMOS管经典开关电路由PMOS来进行电压的选择，当V8V存在时，此时电压全部由V8V提供，将PMOS关闭，VBAT不提供电压给VSIN，而当V8V为低时，VSIN由8V供电。
2、上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。
3、由于输入电压并不是简单的固定值，在很多时候在宽电压的应用会随着时间或者其他因素将会产生变动。这个变动将会导致PWM电路提供给MOS的驱动电压将会出现不稳定，而容易烧坏MOS管。
4、同时出现的这两个CMOS管，任何时候，只要一只导通，另一只则不导通（即“截止”或“关断”），所以称为“互补型CMOS管”。CMOS逻辑电平高速CMOS电路的电源电压VDD通常为+5V；Vss接地，是0V。
5、MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。
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