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射频器件的开关损耗（射频开关技术含量高吗）

发布时间：2023-07-12
阅读量：31

本文目录一览：

矢网Keysight上插损和驻波一起看,如何操作

1、确认对“gpib0 GPIB0”接口进行了正确操作，并将GPIB仪器连接到PNA上。然后，通过I/O程序库控制图标（在PNA的任务栏上），执行“运行VISA助手”应用程序。应用程序应该会定位并指明PNA GPIB上所发现的仪器。

2、矢网1端口做1-port校准，1-2端口做response-through 校准。

3、矢网1端口做1-port校准，1-2端口做response-through 校准。 连接器的一端接矢网1端口，另一端接匹配负载，曲线S11即反射损耗，也可以切换成SWR格式，即是驻波比； 连接器接入矢网的1和2端口直接，曲线S21即插损。

y型星型耦合器的插入损耗

1、对于波导式光纤耦合器，一般是一种具有Y型分支的元件，由一根光纤输入的光信号可用它加以等分。

2、光定向耦合器的主要参数是插入损耗、分光比和隔离度。主要用于单线双向传输及数据网等。 　星形耦合器 　使一个或几个光路中的光能耦合到同一边(或另一边)一个或几个光路中的近似星形器件。

3、(1)插入损耗Li：指穿过耦合器的某一光通道所引入的功率损耗。(2)附加损耗Le：指某一端口的输入功率Pi与各输出端口功率和的比值的分贝数。(3)串音Lc：指由1端口输入功率P1泄露到2端口的功率P2比值的分贝数。

4、按其端口配置的形式，又可分为树形耦合器和星形耦合器，一般由单个的1×2(Y型)耦合器和2×2(X型)耦合器级连而成，用于各种光纤网络，如光纤有线电视、局域网(LAN)等。

...GTR、GTO和电力MOSFET哪个开关损耗最大?多谢

1、IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO。

2、MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。

3、GTR应该是Giant Transistor，为巨型晶体管，导通工作时要求发射结集电结均正偏，与普通BJT工作类似。以上的器件主要用于大电流，高压，低频场合。

4、单管GTR饱和压降VCES低，开关速度稍快，但是电流增益β小，电流容量小，驱动功率大，用于较小容量的逆变电路。MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。

5、(7分) 储存电能升压(3分)；保持输出电压稳定(4分)。 试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。

6、GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗；关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。

那位知道射频信号经过射频开关,结果损耗了15db,开关前端我分别测试了开...

1、两种可能性都有，开关问题的可能更大。你有S参数测试仪，应当能够逐步排查的。

2、射频开关隔离度的测试：一个宽带2选一输出的射频开关，频率到4G，隔离度在30dB左右。一个10耦合器的耦合端接开关，直通端接一个盲插头+cable，20dBm，2G的信号从耦合器输入端输入。

3、探头与容器壁所构成的电容量将改变，这一变化将引起作用于射频导纳开关探头的无线电波的变化。这一变化被射频导纳开关内部线路检测到，与设置值比较，确定其改变量。当与设置值相同时，输出开关量信号。

4、另：射频信号电平高低(db)，与射频信号功率无直接关系。举例：同一个点，用5W的放大器放大后可以输出118db的信号电平，用一个40W的桥接巨无霸放大器，只输出108db的信号电平。你就不能说118db的比108db信号功率大。

5、怕不是天气潮湿的原因吧？是不是碗是金属的？或者上面有金边之类的东西？最后，就是微波炉坏了。

射频开关为什么高频时插入损耗变大

高频时，传输线效应越明显，阻抗稍有不匹配，信号即会处于反射或驻波状态。

电场辐射干扰的原因是高频信号对导体或引线进行充电，应该尽量减小导体的长度和表面积。磁场干扰的原因是在导体或回路中有高频电流流过，应该尽量减小线路板中电流回路的长度和面积。

当料位开关天线处于空气中时，发射线所发出的射频信号会被接收线接收到，此时反射系数较小，传输系数较大；当天线处于介质中时，信号会被介质吸收或反射，此时反射系数较大，传输系数较小。

关键词：射频器件的开关 连接器 器件的开关

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