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1、确认对“gpib0 GPIB0”接口进行了正确操作,并将GPIB仪器连接到PNA上。然后,通过I/O程序库控制图标(在PNA的任务栏上),执行“运行VISA助手”应用程序。应用程序应该会定位并指明PNA GPIB上所发现的仪器。
2、矢网1端口做1-port校准,1-2端口做response-through 校准。
3、矢网1端口做1-port校准,1-2端口做response-through 校准。 连接器的一端接矢网1端口,另一端接匹配负载,曲线S11即反射损耗,也可以切换成SWR格式,即是驻波比; 连接器接入矢网的1和2端口直接,曲线S21即插损。
1、对于波导式光纤耦合器,一般是一种具有Y型分支的元件,由一根光纤输入的光信号可用它加以等分。
2、光定向耦合器的主要参数是插入损耗、分光比和隔离度。主要用于单线双向传输及数据网等。 星形耦合器 使一个或几个光路中的光能耦合到同一边(或另一边)一个或几个光路中的近似星形器件。
3、(1)插入损耗Li:指穿过耦合器的某一光通道所引入的功率损耗。(2)附加损耗Le:指某一端口的输入功率Pi与各输出端口功率和的比值的分贝数。(3)串音Lc:指由1端口输入功率P1泄露到2端口的功率P2比值的分贝数。
4、按其端口配置的形式,又可分为树形耦合器和星形耦合器,一般由单个的1×2(Y型)耦合器和2×2(X型)耦合器级连而成,用于各种光纤网络,如光纤有线电视、局域网(LAN)等。
1、IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点,IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO。
2、MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz(1000KHz),应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。
3、GTR应该是Giant Transistor,为巨型晶体管,导通工作时要求发射结集电结均正偏,与普通BJT工作类似。以上的器件主要用于大电流,高压,低频场合。
4、单管GTR饱和压降VCES低,开关速度稍快,但是电流增益β小,电流容量小,驱动功率大,用于较小容量的逆变电路。MOSFET优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。
5、(7分) 储存电能升压(3分);保持输出电压稳定(4分)。 试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
6、GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗;关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。
1、两种可能性都有,开关问题的可能更大。你有S参数测试仪,应当能够逐步排查的。
2、射频开关隔离度的测试:一个宽带2选一输出的射频开关,频率到4G,隔离度在30dB左右。一个10耦合器的耦合端接开关,直通端接一个盲插头+cable,20dBm,2G的信号从耦合器输入端输入。
3、探头与容器壁所构成的电容量将改变,这一变化将引起作用于射频导纳开关探头的无线电波的变化。这一变化被射频导纳开关内部线路检测到,与设置值比较,确定其改变量。当与设置值相同时,输出开关量信号。
4、另:射频信号电平高低(db),与射频信号功率无直接关系。举例:同一个点,用5W的放大器放大后可以输出118db的信号电平,用一个40W的桥接巨无霸放大器,只输出108db的信号电平。你就不能说118db的比108db信号功率大。
5、怕不是天气潮湿的原因吧?是不是碗是金属的?或者上面有金边之类的东西?最后,就是微波炉坏了。
高频时,传输线效应越明显,阻抗稍有不匹配,信号即会处于反射或驻波状态。
电场辐射干扰的原因是高频信号对导体或引线进行充电,应该尽量减小导体的长度和表面积。磁场干扰的原因是在导体或回路中有高频电流流过,应该尽量减小线路板中电流回路的长度和面积。
当料位开关天线处于空气中时,发射线所发出的射频信号会被接收线接收到,此时反射系数较小,传输系数较大;当天线处于介质中时,信号会被介质吸收或反射,此时反射系数较大,传输系数较小。
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