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1、光传输器件:光在光纤内的传输过程中某波长的光波的损耗特性和色散持性。
2、光电元件光谱特性:自变量:光的频率或波长,应变量:光能的转换效率,基本一致:不介绍了。
3、光谱特性主要反映光电器件可以响应那个波长范围的光,范围之外无光电转换效率或效率很低;频率特性则是反映光电器件对信号的响应速度,频率特性低的器件无法正常响应高频调制信号。
4、光电二极管的伏安特性。光电二极管的伏安特性是指光电二极管上所产生的光电流与其两端所加电压之间的关系。光电二极管的光照特性当的灵敏度。光电二极管的光谱特性光电二极管的光电流与入射光的波长的关系叫光谱特性。
5、不同光敏电阻的光照特性是不同的,一般光照越强,光电流越大。由于光敏电阻光照特性的非线性,光敏电阻不宜作线性测量元件,一般用作开关式光电转换器。
6、光照特性。光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。从光敏电阻的光照特性曲线可以看出,随着的光照强度的增加,光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度,则电阻值变化减小,然后逐渐趋向平缓。
目前半导体元件包括 : 二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。
光电二级管,光敏电阻,光敏二级管,发光二级管等。符号为:若是感光元件,则在原器件中上部打两个向内的箭头,表示吸光的意思。若是发光元件,则在原器件中上部打两个向外的箭头,表示发光的意思。
半导体光电器件如光导管、光电池、光电二极管、光电晶体管等;半导体热电器件如热敏电阻、温差发电器和温差电致冷器等。
基本的半导体器件主要有以下几种:pn结二极管,金属氧化物场效应晶体管(MOS),双极晶体管(BJT),结型场效应晶体管。pn结二极管结构:其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。
即将射到它表面上的光信号转换为电信号,如 PIN光电二极管和雪崩光电二极管( APD )等,目前广泛用于光纤通信系统。③ 太阳电池。将光辐射能转换成电能的器件。1954年应用硅PN结首先研制成太阳电池。
半导体器件(semiconductor device)通常,这些半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件。
光照特性。光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。从光敏电阻的光照特性曲线可以看出,随着的光照强度的增加,光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度,则电阻值变化减小,然后逐渐趋向平缓。
光敏电阻的光照特性 光电流随着照度的变化而改变的规律称为光照特性。不同类型的光敏电阻的光照特性不同。由实验可知,光电流随着照射强度一起增大或减小。
光谱特性主要反映光电器件可以响应那个波长范围的光,范围之外无光电转换效率或效率很低;频率特性则是反映光电器件对信号的响应速度,频率特性低的器件无法正常响应高频调制信号。
光电材料是指用于制造各种光电设备(主要包括各种主、被动光电传感器光信息处理和存储装置及光通信等)的材料,主要包括红外材料、激光材料、光纤材料、非线性光学材料等。
光电特性包括液晶、LED、光电管、光耦等方面。由光的作用产生的电叫光电。
是指材料具有光-电转换特性,一定条件下,材料受光照可以产生电,同样在受电时可以产生光。
所谓光电特性就是指这颗LED灯的VF、IR、亮度、波长(颜色)等,前两项是电的特性,涉及产品的使用时间、LED灯寿命;后两项是光性,涉及这颗LED灯的亮度、颜色等。外型尺寸规格:这个部分就是统一规格了。
在折射率更大的介质中,譬如在水中或玻璃中,传播速度还要慢些。在量子光学中,光的能量是量子化的,构成光的量子(基本微粒),我们称其为“光量子”,简称光子,因此能引起胶片感光乳剂等物质的化学变化。
光电效应的基本性质 每一种金属在产生光电效应时都存在极限频率,或称截止频率,即照射光的频率不能低于某一临界值。
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