江门mos管参数（mos管选型参数）

发布时间：2023-07-12

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工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：380ns 引线数量：3 12N65的TO-262封装系列。它的本体长度为4mm，加引脚长度为23mm，宽度为2mm，高度为7mm。

当温度约为185~200°C(具体值取决于工艺)，增加的漏电和降低的增益将使得硅芯片的工作不可预测，并且掺杂剂的加速扩散会把芯片寿命缩短至数百小时，或者最好的`情况下，也可能仅有数千小时。

工作温度：-65~+150℃ 引线数量：3 78M05贴片封装系列。它的本体长度为7mm，加引脚长度为0mm，宽度为7mm，高度为5mm，脚间距为3mm。

VSD)：4V 栅极漏电流(IDSS)：1uA 反向恢复时间(trr)：290NS 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：3 6N65大电流场效应管封装系列。6N65具有低栅极电荷、低Ciss、快速切换、100% 雪崩测试、改进的dv/dt功能等特性。

工作温度范围：-40°C至+125°C BT139-800E的应用电机控制：BT139-800E广泛用于电机控制应用，如交流电机的速度控制、伺服系统和步进电机驱动。

N65在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N65的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N65的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。

江门mos管参数（mos管选型参数）

②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。③、向那5N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：5A//T0-220封装//。

耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

两者数据相差不大，如果机器的最大电流不超过75A的话可以替换。可以混用。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管(简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

最大过电流能力三极管有ICM参数，即集电极的过电流能力，MOS管的过电流能力用ID来表示。电流工作时流过三极管/MOS管的电流不能超过规定值，否则器件被烧坏。从工作稳定性考虑，一般要留有30%-50%，甚至更多的余量。

高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。

MOS管主要参数如下：开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

1、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

2、mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

3、MOS IC 是什么意思？ mos管 mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应电晶体，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

4、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。