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1、两者的最大的区别是光MOS继电器通常需要消耗更多的功率，而光耦则可以有效地抑制功率损耗。此外，光MOS继电器在电路设计中更加复杂，而光耦则可以更简单地控制电源的开关。
2、光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏（三极）管封装在一起。
3、隔离作用。众所周知，光耦起到信号的隔离作用。
4、MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。
1、其次，TLP521的输出驱动电流很小，你这个电流太大，目前还没有听说用光耦做驱动器件的，并且三极管耐压也不够。加一个MOS管是最好的选择，可以用一个P沟道的MOS管，比如IR4435，两块钱搞定，直接用光耦驱动它就可以了。
2、电机输出接原极，电路更改 减小1K电阻到27欧姆。连个个10K电阻减小，上边560，下边1K 结束语：实际上这几个原件组合，如果按MOS管的等级来看，TLP521这样构成的驱动电路过于简单，是无法驱动的。内阻太大。
3、MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。
光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。
MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。
低压的时候灯泡里面有啸叫，一般是内部驱动电源上的电感（或者变压器）发出的。电压过低的时候，信号的周期频率接近或落入音频范围。周期性电流经过电感线圈，产生交变磁场，该电感线圈在交变磁场作用下产生振动而发出声音。
PC923的话 你要驱动MOSFET的话 需要把他的5脚和8脚接一起然后接VCC，6脚接栅极电阻，7脚接GND的。很简单的。
做实物的话，用6N137，这果高频的光耦，而低频是P521。6N137的技术资料网上非常多，下载一个看就知道了。
单片机 PWM 信号输出 控制 大功率LED 灯的 亮度，一般 1W 的 LED 灯 电流 大约在 300 mA 左右，三极管 功率 要大一些，或者可以 用 MOSFET 管。
当PWM输入为高电平时，光耦未导通，根据电阻的分压，输出端电压接近12V，此时NMOS管的UG大于开启电压，NMOS管导通，RDS极小，所以加热片上的压降很大，电热片加热。
不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路，有诸多麻烦。建议使用 TLP250 或类似芯片。
用光耦由于里面只有一个三极管，驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。另外，光耦驱动负载能力有限，大功率MOS管在快速开关过程中是需要较高驱动能力的。
光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。
光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
东芝光耦有很多种类，高速光耦有：TLP117： 5 V， 50 Mbps/TLP2066： 3 V， 20 Mbps/TLP2116： 5 V， 20 Mbps (2-in-1)。
MHZ以上的需要用图腾柱驱动或者专用驱动芯片IR2013 ，MOS管一定要选结电容小的高速MOS管，否则无法达到这么高的频率。
IR2110作为MOSFET驱动芯片，若你的主电路是大电压大电流，而控制电路一般都是低压，小电流，二者之间必须隔离（一般用高速光耦），以防主电路发生故障，控制电路跟着烧坏。
逻辑输入兼容IR2110/IR2113，标准CMOS或LSTTL输出，下降到3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动器跨导。传播延迟相匹配，以简化在高频应用中使用。
美国IR公司生产的IR2110驱动器。它兼有光耦隔离（体积小）和电磁隔离（速度快）的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。
驱动MOS管的芯片有IR2110，IR2114等芯片。他们主要是为高端MOS管设计的，当然也能驱动低端MOS管。对于低端MOS管一般不需要使用专门的驱动芯片。
应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。
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