ir2117驱动p沟道mos管（ir2136驱动mos管详解）

发布时间：2023-07-12

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1、我最近也在用IR2110，做一个交流逆变电源。 IR2110的高端驱动电平（6脚与5脚）相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。

2、但是要驱动MOSFET，其栅极和源极间电压要求是一定的，因此这时MOSFET的驱动电压就需要和源极一起变化的电压。这个驱动电压就是MOSFET的自举驱动电压。

3、分析这次MOS管故障的原因，根据开关电源以前的所了解的，一般引起MOS管发热的原因是：1：驱动频率过高。2：G极驱动电压不够。3：通过漏极和源极的Id电流太高。

1、IR2110的高端驱动电平(6脚与5脚)相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。如果是驱动单个MOSFET的话用低端驱动，即用1脚和2脚，换作LIN给PWM信号。

2、可以连接到单片机上，Hin与Lin要同时连接，记住他们是互为反相的逻辑信号。com接地，高端输出搭配了自举电路，可以驱动高端MOS。需带一定负载才能给自举电容充电。记得设置死区。

3、图6 采用IR2110驱动电路3 应用UC3637和IR2110构成控制驱动电路图6是IR2110构成的驱动电路。由图6可见用两片IR2110可以驱动一个逆变全桥电路，它们可以共用同一个驱动电源而不须隔离，使驱动电路极其简化。IR2110本身不能产生负偏压。

4、按照这个电路设计高端是不会产生负压的，要产生负压，必须在高端输出为截止时，VCC给电容C3有效充电。

5、就是说G-S之间最高电压只能我们设定的电压，既不会超出Vgs容许的最大范围，还让MOS管能够很好的饱和导通。直接加一个固定电压是不能实现的，可能还可能损坏MOS管与驱动电路。

1、r22太大，一般取几十欧姆；驱动Q6的电荷是通过+12V到D8到CC5再到负载，对CC5充电得的。所以需要在Q6关断的时候对CC5进行充电，负载阻抗太大，充电时间常数太大，或者负载在Q6关断后电势仍然高于12V，无法充电。

2、首先，IR2112是MOSFET管高侧/低侧驱动器，而非MOSFET管。Multisim8版本中没有IR2112，由于它属于比较特殊的器件，高版本中估计也没有，所以不好办。

3、我最近也在用IR2110，做一个交流逆变电源。 IR2110的高端驱动电平（6脚与5脚）相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。

4、P型的MOSFET相对于同样的硅片面积，导通内阻较大，开关速度也比较慢，故N型MOSFET使用较多。

5、但是要驱动MOSFET，其栅极和源极间电压要求是一定的，因此这时MOSFET的驱动电压就需要和源极一起变化的电压。这个驱动电压就是MOSFET的自举驱动电压。

1、IR2110的高端驱动电平（6脚与5脚）相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。

2、就是说G-S之间最高电压只能我们设定的电压，既不会超出Vgs容许的最大范围，还让MOS管能够很好的饱和导通。直接加一个固定电压是不能实现的，可能还可能损坏MOS管与驱动电路。

3、按照这个电路设计高端是不会产生负压的，要产生负压，必须在高端输出为截止时，VCC给电容C3有效充电。

4、现有的很多小信号放大电路都是由晶体管或MOS管的放大电路构成，其功率有限，IR2110用于驱动半桥的电路如图5所示。

ir2117驱动p沟道mos管（ir2136驱动mos管详解）