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1、光电传感器的原理是通过将光强的变化转化为电信号的变化来实现控制。一般来说,光电传感器由三部分组成,分别是发射器、接收器和检测电路。
2、光电传感器原理是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。光电传感器在一般情况下,有三部分构成,它们分为:发送器、接收器和检测电路。
3、光电传感器的基本原理是物质的(电光反应)。
4、原理是光照度改变使光敏电阻阻值的改变,而引起光敏电阻两端电压的改变。电压变化信号通过传感器传到计数器上计数计时。光电门一端有个线性光源,另一端有个光敏电阻,门中无物体阻挡时光照射到光敏电阻上。
5、第对射型光电传感器 这是现在最常用的光学传感器,这种光学传感器是将发射器和接收器相互分离。能够检测比较大的物体。其原理和槽型光学传感器基本相同,在这里就不详细介绍了。
6、光电传感器是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的 。光电传感器在一般情况下,有三部分构成,它们分为:发送器、接收器和检测电路。
影响有机晶体发光的因素:发光材料的发光性能除与材料基质晶体结构类型和发光中心激发剂离子种类和数量密切相关,同时还受到材料合成加工等工艺技术和过程的影响。发光粉的颗粒大小是对发光性能具有关键性影响的另一因素。
晶体管的工作温度高温限决定于禁带宽度的大小。禁带宽度越大,晶体管正常工作的高温限也越高。光电器件对材料特性的要求:利用半导体的光电导(光照后增加的电导)性能的辐射探测器所适用的辐射频率范围与材料的禁带宽度有关。
⑷有位相匹配能力,特别是非临界匹配能力。位相匹配角度和温度容限要在;⑸光学均匀性好,损伤阈值高;⑹物化性能稳定;⑺生长工艺比较容易,能得到足够大的晶体,在位相匹配方向上达到可用长度。
半导体光电器件的工作波长是和制作器件所用的半导体材料的种类相关的。
半导体PN结在受到光照射时能产生电动势的效应,叫光伏打效应。硅光电池就是利用光伏打效应将光能直接换成电能的半导体器件。图表3-31是硅光电池的结构和电路符号图。从图中可见硅光电池就是一个大面积PN结。
半导体光电器件引是把光和电这两种物理量联系起来,使光和电互相转化的新型半导体器件。即利用半导体的光电效应(或热电效应)制成的器件。
后来就把能够产生光生伏打效应的器件称为光伏器件。由于半导体PN结器件在阳光下的光电转换效率最高,所以通常把这类光伏器件称为太阳能电池,也称光电池或太阳电池。
在PN结结构中,由于存在内建电动势垒,在受到光照时,若两端有连接,便会有光电流流过外接电路。即使没有外加偏压,PN结也会产生一个光生电动势。这中效应称为光生伏特效应。
光电导器件主要有光敏电阻、光电二极管光电三极管等。1·光敏电阻这是一种半导体电阻。在没有光照时,电阻很大;在一定波长范围的光照下,电阻值明显变小。
光电转换的基本器件是太阳能电池。太阳能电池是一种利用光伏效应将太阳能直接转化为电能的装置。它是一个半导体光电二极管。当太阳光照射到光电二极管上时,光电二极管会将太阳能转化为电能,产生电流。
1、提高电导增益或提高光导增益。电导增益定义为光生载流子寿命与载流子在光电导两极间的渡越时间之间的比值。
2、响应时间主要受光电导器件中载流子的平均寿命τ有关,减小τ,则频率响应提高;其次,光电导器件的响应时间与运用状态也有光,例如,光照强度和温度的变化,因为它们都影响载流子的寿命。光伏特器件的工作频率高于光电导器件。
3、不过“变容二极管”,利用其结电容随偏置电压变化而变化,是可以应用在频率(波长)扫描电路上。
4、温差电器件对材料特性的要求:为提高温差电器件的转换效率首先要使器件两端的温差大。当低温处的温度(一般为环境温度)固定时,温差决定于高温处的温度,即温差电器件的工作温度。
热管理:若要达到更长的使用寿命必须控制LED节点温度,散热模型计算与新材料新工艺的运用是LED灯技术热点。光学元件:透镜、反射器或导光板材料是将光线聚焦在目标区域或分散在四周,这要根据设计需求而定。
LED大量应用要求是圆柱、圆球封装,由于凸透镜的作用,故都具有很强指向性:位于法向方向光强最大,其与水平面交角为90°。当偏离正法向不同θ角度,光强也随之变化。发光强度随着不同封装形状而强度依赖角方向。
led本身有的带着一个半球的透镜,用来汇聚led发射的光;这个透镜是一次光学设计,一般是led厂家来做的。用户购买了led,进行二次配光,比如想得到类似于平行光,需要再加一个透镜准直,这就是二次光学设计。
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