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要是单项可控硅就是跟电源的频率一样50hz,只在正班穗祥周期触发如果双向可控硅就是100hz,正负均触山桐发。当然也可只逗族坦在正半周期触发
误触发一般有2种。
1.选用的触发电流不合适。这个一般不会出现。
2.电网干扰。电网并不是一个曲线平滑的波。很旁码喊多模态时候出现尖峰电流。这时候就会误触发。需运野要加装滤波装置。可以减少或避免误触发。
那是光返谨友触发可控硅,不是光偶! 光触发可控硅是用光信号触发, 可控硅被光脉冲触发后,即使光信号已经消失,只要可控硅的T1,T2之间晌顷有电压,可漏槐控硅就维持在导通状态。 所以MOC30XX系例的光触发可控硅只能用于交流电的负载控制。在交流电的半周内一旦触发, 电流会维持到交流电换向过零时才关断。
光敏晶闸管分别应用于厨房小场合。光敏晶闸管用于光控路灯电路 ,光敏面 ,光照小于设定值时,VT1截止, VT2的门极电流Ig2增大,VT2导通,电灯HL亮。减小Rg, 门极电流被旁路,灵敏度降举前低。光控制晶闸管又称光触发晶闸管,是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子,大州答弊功率光控晶闸管则还带有光缆,光缆上装有作为触发光源的发光二极管或半导体激光册族器。所以,光敏晶闸管分别应用于厨房小场合。
可控硅的4种触发方式:
1、强电触发: 采用MOC3061、MOC3021等高压光耦,从可控硅的A极引入触发电压,这种触发不需要其他触发电源,电路非常简单,主要元器件工作在400V强脉冲环境,可靠性最差。 采用触发二极管(DB3)电路与这种结构相似。
2、变压器隔离触发: 这是工业上最常用结构,优点是强弱电隔离触发波形好,缺点是长脉冲触发时变压器体积太大,成本高电路复杂。元器件隐肢逗工作在100V脉冲环境,可靠性一般。
3、隔离电源直流触发: 图片上的这种触发结构,缺点是功耗较大,发热量大。优点是强弱隔离触发电流大,低频长脉冲、高频脉冲串等都适用,电路简单成本低,元器件工作在20V脉冲环境。可靠性好。这种机构饥型的移相触发器经半年多实际使用(10kw变压器负载,镀铝机蒸发舟加热),极少出现烧保险丝和烧可控硅现象,原来是采用变压器触发结构,经常烧保险丝,可控硅也有损坏。
4、其过零触发控制方式由于对电网无污染 ,在许多调功设灶卖备中都采用这种触发方式。可控硅作为大功率电子器件在工程中得到广泛应用 ,
可控硅调光电源原理:
可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和控制极(G),管芯是P型导体和笑宽N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN
结,与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压E,又在控制极G和阴极C之间(相当BG2的基一射间)输入一个正的触发信号,BG2将产生基极电流Ib2,经放大,BG2将有一个放大了β2
倍的集电极电流IC2
。因为BG2集电极与BG1基极相连,IC2又是BG1
的基极电流Ib1
。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集电极电流IC1送回BG2的基极放大。如此循环放大,直到BG1、BG2完全导通。事实上这一过程是“一触即发”的,对可碰芦亮控硅来说,触发信号加到控制极,可控硅立即导通。导通的时间主要决定于哗敬可控硅的性能。
可控硅一经触发导通后,由于循环反馈的原因,流入BG2基极的电流已不只是初始的Ib2
,而是经过BG1、BG2放大后的电流(β1*β2*Ib2),这一电流远大于Ib2,足以保持BG2的持续导通。此时触发信号即使消失,可控硅仍保持导通状态,只有断开电源E或降低E的输出电压,使BG1、BG2
的集电极电流小于维持导通的最小值时,可控硅方可关断。当然,如果E极性反接,BG1、BG2受到反向电压作用将处于截止状态。这时,即使输入触发信号,可控硅也不能工作。反过来,E接成正向,而触动发信号是负的,可控硅也不能导通。另外,如果不加触发信号,而正向阳极电压大到超过一定值时,可控硅也会导通。
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