线性mos管（线性mos管国内外差异）

发布时间：2023-07-13

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1、对大多数导体来说，温度越高，电阻越大，如金属等。对少数导体来说，温度越高，电阻越小，如碳。电阻是导体本身的一种属性，因此导体的电阻与导体是否接入电路、导体中有无电流、电流的大小等因素无关。

2、，线性关系是两个变量之间存在一次方函数，其图像画出来是一条直线。2，电阻与温度之间不存在线性关系，因为随着温度变化，在单位变化中同种电阻的阻值变化是不均匀的。

3、电阻ρ与温度t(℃)的关系是ρt=ρ0(1+at)，式中ρt与ρ0分别是t℃和0℃时的电阻率。已知材料的ρ值随温度而变化的规律后，可制成电阻式温度计来测量温度。半导体材料的α一般是负值且有较大的量值。

1、工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

2、mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

3、由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。

MOS管作为开关使用时，主要是工作在饱和区及截止区。若做放大用，主要是工作在线性区。

二者区别没有那么绝对，很多mos管既可以工作在线性状态，又可以工作在开关状态。只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化，主要是能支持比较高的开关频率。

开关电源可以降压，也可以升压；线性电源只能降压。开关电源效率高；线性电源效率低。线性电源控制速度快，波纹小；开关电源波纹大。

先是MOS管，我们都知道MOS管有NMOS和PMOS。PMOS管我们在一些负载开关电路里面见的比较多，还有电路总电源输入级的开关控制一般也都是用的PMOS管，像下面这样，这熟悉的形态。而NMOS管则在开关电源以及信号开关上用的比较多。

线性mos管（线性mos管国内外差异）

电阻。根据信息查询得到，处于饱和区的时候，mos管的沟道电阻为正温度系数，温度越高电阻越大，所以MOS管电流随温度下降。VGS电压一定时，温度越高，所流过的电流越大，温度和电流形成正反馈。

你说的恒流区是指的饱和区吧，MOS管的线性区又叫三极管区，在这个区域里工作时，MOS器件的导通电阻很小，算是低阻状态，常用作开关的导通态。当其工作于饱和区时，由于漏电流与栅电压的线性关系，常用作信号放大使用。

mos管的线性区就是可变电阻区，其阻抗与栅压成反比；mos管的饱和区是放大区，其电流电压曲线如三极管的放大区。

如果你的目的是让LED发光，那么这里MOS的作用就是开关了，做开关导通的时候，MOS工作于线性区，并不是说一导通就是饱和；他有截止，线性，饱和3中状态。

你看这张图片，你就知道了，和你的理解刚好相反。有源导通区应该指饱和区，而线性导通区是非饱和区。

1、首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。

2、mos管构成与门、或门、与非门和或非门如下图，从中可以看出，与门和或门由两级电路构成，且用的器件较多，即影响速度又降低集成度，所以用与非门和或非门多。

3、本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。

4、我们可以看到，N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。

5、比如LF353或LF356。（1）这个地方有难度，你可以搭一个H桥。用IRF9540(PMOS MOSFET)和IRFZ44N(NMOS MOSFET)搭成乙类推挽放大的模式。（2）5W对于前面那两个MOSFET来说，小菜一碟，再大个几倍也可以。

简单理解下，工作在饱和区的时候，他相当于一个导线，导线上的压降很小，消耗在上面的功率就很小，而工作在线性区的时候他相当于一个可变电阻，在串联电路中，阻值大分得的压降就大，消耗的功率就大。

MOS放大器是电压放大器。它可以将一个很小的输入信号电压放大几十倍甚至上百倍。它的放大原理简单说来就是，通过放大电路，MOS管的漏极可以输出一个跟随输入信号电压变化的电流。然后这个电流就在电路中的漏极电阻产生了压降。

简单地讲，就是用小的电流变化，利用晶体管的线性工作区域所谓放大特性，带动大的电流变化，起到放大作用。