mos寄生二极管（nmos寄生二极管）

发布时间：2023-05-17

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本文目录一览：

1、MOS管上的二极管什么作用
2、MOS管子的寄生二极管相当于普通二极管还是快恢复二极管
3、mos寄生二极管是肖特基吗
4、mos管中的寄生二极管都存在吗
5、在图中的mos管截止时，电流会不会从寄生二极管里面走？有什么解决方法吗？

MOS管上的二极管什么作用

mos管本身自带有寄生拍知让二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G,S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右猛喊。考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。

扩展资料

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时袭局的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。

需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。

mos寄生二极管（nmos寄生二极管）

MOS管子的寄生二极管相当于普通二极管还是快恢复二极管

相当于快恢复的二极管 ,应为MOS管的工作颤汪频率比较高，所以它里面芹洞仔的体二极管工作频率也要高，所嫌汪以相当于是快恢复二极管。

mos寄生二极管是肖特基吗

是

在常用的MOS管的Datasheet中原理图上，常见D和S极之间有一个二极管，该二极管称为寄生二极管。该二极管的产生与生产工艺有关，并不是所有的MOS内部都有该二极管。一般大功率管有该二极管，小功率管和集成电路中的mos管没有该二极管。如果漏极从衬底硅片底部引出的，则会有该二极管，是漏极与衬底之间形成了PN结造成的。如果漏极从硅片的上面，与栅极相同的方向引出，则没有该二极管。当MOS有很大的反向瞬间电流时，该二极管导通，起到保护作用。

2、肖特基二极管

肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高芦纳晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低镇哗困，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。

3、从二极管的电流公式分析

PN结（也包括肖特基势垒结）的伏安特性可以用公式：

IF = IS0·{exp [q·VF / (k·T)] - 1}

来表示。式中，IF为正向电流，IS0为反向饱和电路（御念理论上反向电压无穷大时候的电流），VF为结压降，q为电子电荷，k为波尔茨曼常数，T为绝对温度。把IF作为自变量，则得到公式：

VF=k·T/q·ln(IF/IS0+1)

需要指出的是，这两个公式对于PN结正向、反向偏置都是适用的。

由上面的公式我们可以得到：

二极管并联时，无论并联的二极管是什么样的，都无法让其中的一个或多个二极管中的电流为0.

从上述公式上看，单纯的数学上，二极管之间的差异就是IS0。

这意味着很多事情，比如：当二极管的寄生电阻可以忽略的时候，所有二极管的伏安特性曲线只差一个比例系数；意味着任意两只二极管的伏安特性曲线，通过调整电流轴的比例，两条曲线可以重叠在一起。