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mos寄生二极管(nmos寄生二极管)

发布时间:2023-05-17
阅读量:121

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MOS管上的二极管什么作用

mos管本身自带有寄生拍知让二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。

要考虑二极管的单向导通性,主要是其保护作用,G,S间的寄生电容较小,通常在几pf到10几pf左右猛喊。考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压,所以通常会在G-S之间加上TVS,防止G-S击穿。

扩展资料

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时袭局的情况(低端驱动),只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了,漏极D接电源,源极S接地。

需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差,所以当NMOS作为高端驱动时候,当漏极D与源极S导通时,漏极D与源极S电势相等,那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压,漏极D与源极S才能继续导通。

MOS管子的寄生二极管相当于普通二极管还是快恢复二极管

相当于快恢复的二极管 ,应为MOS管的工作颤汪频率比较高,所以它里面芹洞仔的体二极管工作频率也要高,所嫌汪以相当于是快恢复二极管。

mos寄生二极管是肖特基吗

在常用的MOS管的Datasheet中原理图上,常见D和S极之间有一个二极管,该二极管称为寄生二极管。该二极管的产生与生产工艺有关,并不是所有的MOS内部都有该二极管。一般大功率管有该二极管,小功率管和集成电路中的mos管没有该二极管。如果漏极从衬底硅片底部引出的,则会有该二极管,是漏极与衬底之间形成了PN结造成的。如果漏极从硅片的上面,与栅极相同的方向引出,则没有该二极管。当MOS有很大的反向瞬间电流时,该二极管导通,起到保护作用。

2、肖特基二极管

肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

一个典型的应用,是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而提高芦纳晶体管的开关速度。这种方法是 74LS,74ALS,74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。

肖特基(Schottky)二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低镇哗困,漏电流稍大些。选用时要全面考虑。

3、从二极管的电流公式分析

PN结(也包括肖特基势垒结)的伏安特性可以用公式:

IF = IS0·{exp [q·VF / (k·T)] - 1}

来表示。式中,IF为正向电流,IS0为反向饱和电路(御念理论上反向电压无穷大时候的电流),VF为结压降,q为电子电荷,k为波尔茨曼常数,T为绝对温度。把IF作为自变量,则得到公式:

VF=k·T/q·ln(IF/IS0+1)

需要指出的是,这两个公式对于PN结正向、反向偏置都是适用的。

由上面的公式我们可以得到:

二极管并联时,无论并联的二极管是什么样的,都无法让其中的一个或多个二极管中的电流为0.

从上述公式上看,单纯的数学上,二极管之间的差异就是IS0。

这意味着很多事情,比如:当二极管的寄生电阻可以忽略的时候,所有二极管的伏安特性曲线只差一个比例系数;意味着任意两只二极管的伏安特性曲线,通过调整电流轴的比例,两条曲线可以重叠在一起。

我们通常认为硅二极管的正向压降比较大,锗二极管的正向压降比较小。但根据伏安特性曲线公式,我们可以看到,将许多的硅二极管并联起来,可以得到和锗二极管相同的伏安特性曲线——如果要让两者完全重叠,可能需要在并联的硅二极管上串联一个电阻。

4、二极管的反向恢复

二极管在接反向电压的时候,在两边的空穴和电子是不接触的,没有电流流过,但是同时形

成了一个等效电容,如果这个时候改变两边的电压方向,自然有一个充电的过程,这个时间

就是二极管反向恢复时间。用示波器可以看到结电容的充电时间的。实际上是由电荷存储效

应引起的, 反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。

实际的意义在于:该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。如果反向脉冲的持

续时间比反向恢复时间 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。因此了解二

极管反向恢复时间对正确选取二级管和合理设计电路非常重要。(ts 称为储存时间, tf 称

为下降时间。tr= ts+ tf 称为反向恢复时间,)

5、二极管的反向恢复电流与电压转变之前的电流有关。即IF与反向恢复电荷相关

mos管中的寄生二极管都存在吗

存吵银在。

根据查询相关公开信息,工程中实际的MOS管内部一般都有一个二极管,伏弊称为寄生二极管,寄生二极管都存在。

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写缺碰族为MOSFET,属于绝缘栅型。

在图中的mos管截止时,电流会不会从寄生二极管里面走?有什么解决方法吗?

不会,这个二极管工作在反逗昌向状态,反向山枯扒电流极为微弱,可以忽略不计。

另外,这个二极管实际上是等效出来的,而败神真正的做一个二极管在上面,主要起保护,防止反向击穿的。

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