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作为标准专用产品闹袜源ASSP,CD405x系列是双向传输小信号用的,不是为了高保真传输功率信号用的,另外当时的CMOS工艺,做低电阻MOS传输门,需要很大的硅片面积,不常用,不实用。
自己用MOSFET+逻辑芯片搭,要注意模拟开关本意是双向传液态输信号用的,市面好孙上的MOSFET大部分都是三端器件,而IC里的MOSFET有GSDB四端,电路实现上应该有点儿区别。
现在有好多低Ron的模拟开关,去网上搜一下,一大把,开关电阻Ω级,封装尺寸也很小,大米粒尺寸,比自己搭简单可靠。
1.做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到MOS管。MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用。
2.MOS管的三个极,G、S、D分别代表是什么?
(1).判断栅极G
MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭,在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率,MOS管发烧严峻,易热损坏MOS管GS间存在一定电容,假如G信号驱动能力不够,将严峻影响波形跳变的时间.
将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大,并且交换表笔后仍为无限大,则证实此脚为G极,由于它和另外两个管脚是绝缘的。
(2).判断源极S、漏极D
将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电态旦阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。因为测试前提不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。
(3).丈量漏-源通态电阻RDS(on)
在源-漏之间有丛唯一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。
3.G:gate 栅极S:source 源极D:drain 漏极MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管。市面上常有的一般为N沟道和P沟道。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。
4.MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。
其步骤如下:
假如有阻值没被测MOS管有漏电现象。
(1)、把连接栅极和源极的电阻移开,万用表红黑笔不变,假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大,则MOS管漏电,不变则完好 .
(2)、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来,假如指针立刻返回无限大,则MOS完好。
(3)、把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,好的表针指示应该是无限大。
(4)、用一只100KΩ-200KΩ的电阻连在栅极和漏极上,然后把红笔接到MOS的源极S上,黑帆郑扰笔接到MOS管的漏极上,这时表针指示的值一般是0,这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电,产生栅极电场,因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通,故万用表指针偏转,偏转的角度大,放电性越好。
以上就是MOS管 AO3402 使用方法。
查了一下A2的代码,SOT-23封装的都是二极管,没有MOS管,倒是A02有哦
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