mos管模型（mos管模型在静态工作点电容怎么处理）

发布时间：2023-07-13

阅读量：26

本文目录一览：

目前流行的MOS管模型大致可分为两类，一类是基于阈值电压（Threshold Voltage-based）的模型，典型的代表为BSIM3和BSIM4，大家可以参阅Razavi的课本。它的一个典型特征就是阈值电压是Vsb的函数，以此来刻画体效应。

基本的半导体器件主要有以下几种：pn结二极管，金属氧化物场效应晶体管（MOS），双极晶体管（BJT），结型场效应晶体管。pn结二极管结构：其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。

场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。

MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

③MES场效应管(用金属与半导体接触构成栅极)；其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模集成电路的发展中，MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。

mos管模型（mos管模型在静态工作点电容怎么处理）

1、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。

2、MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

3、这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

4、MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。

5、电容的电流损耗）。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）（metal oxide semicondutor field effect transistor）。

如下图所示是一个NMOS的模型图。MOS管是四端器件，包括源端（S）、漏端（D）、栅端（G）和衬底（B）。在标准CMOS工艺中，所有MOS管共用一个P型衬底，为了防止PN结正偏，P型衬底一般接GND。

UGD=UGS-UDS，这是定义，没有什么好说的。第三个式子是从第二个推导出来的。整个公式其实是从实验获得，你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了。具体过程是这样的。

第一句话的意思是MOS管关断时，源漏之间的电压可以达到1200V而不击穿，mos管充分打开时(电阻应该小于0.004欧姆)源漏之间可以通过600A电流而不烧毁，处于其他状态(可变电阻区状态)其上消耗的功率不能大于1600W。

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。

导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

第一种：可以使用如下公式估算：Ig=Qg/Ton 其中：Ton=t3-t0≈td(on)+tr td(on)：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。Tr：上升时间。