MOS管开启时间（mos管的开启电压）

发布时间：2023-07-13

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1、我们可以看到，N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。

2、带软开启功能的MOS管电源开关电路这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

3、PNP开关电路：NPN开关电路：3V控制5V开关电路总结：PNP和P-MOS管的电路是兼容的，区别在于MOS一般通过的电流更大，NPN和N-MOS同理。另外，P-MOS管和N-MOS管的电路不可兼容，即N-MOS管不能接在VCC上作开关功能。

4、MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。

5、MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。

6、mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。

MOS管开启时间（mos管的开启电压）

开关管的开关模式电路如图4所示，二极管可是外接的或MOS管固有的。开关管在开通时的二极管电压、电流波形如图5所示。

MOS管导通是在其栅极（G）端施加高电平，而源极（S）和漏极（D）之间的电势差超过了临界电压时发生的。因此，如果我们想让MOS管导通，需要将G端连接到高电平电源。

MOS管导通过程分析 MOS管和三极管的特性曲线分别如图1和图2所示，它们各自区间的命名有所不同，其中MOS管的饱和区也称为恒流区、放大区。

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

米勒平台从t0开始，说明是MOS管开关电路导通过程中MOS管电压电流的变化曲线。在t0~t1时间段内，Vgs小于阈值电压Vgs(th)时，MOS管处于截止区关断，漏极电流Id=0，漏源极电压差Vds为输入电压Vin。

MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。

光电三极管的负载电阻越大，时间响应越长。光电三极管的时间响应由以下四部分组成：光生载流子对发射结电容Cbe和集电结电容Cbc的充放电时间。光生载流子渡越基区所需要的时间。光生载流子被收集到集电极的时间。

图4给出了光电三极管响应时间与集电极电流的关系，由图可知，增加集电极电流可减小光电三极管的响应时间，即提高光电三极管的工作频率。

的fT是150M，意思是用作放大时，时间是 1/150000000 秒。虽然开关应用时，速度是要比放大时要慢的，但怎么说也远远不可能是零点几秒！开关速度是由整个电路决定的。不是说三极管本身是多少，这个电路就是多少。

毫秒。光电sensor的反应时间是0.1毫秒，加上信号传输处理时间，总共约1毫秒，故测量转速的范围是1-60000/分之间，饱和测量的话有误差。