mos管反向电压（mos管反向电流）

发布时间：2023-07-13

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1、这是变压器有饱和现象，或者线端口接触不良导致。控制器（controller）是机器的核心。标准定义为：按照预定顺序改变主电路或控制电路的接线和改变电路中电阻值来控制电动机的启动、调速、制动和反向的主令装置。

2、大多数Si管子手册正负压限制绝对值相等比如+20和-20，而SiC通常有更小的负压限制，比如这个SIC管子，GS正压最大值25而负压-10。

3、譬如可控硅，在正向电压时，它能够进行开关工作（存在正向阻断电压，有两个状态）；而在反向电压时，通过的反向电流很小，即是阻断的，不能工作。

4、因为iG=0，所以输入电阻很大。JPET的输入电阻大于107Ω，MOSFET的输入电阻大于1012Ω。交流参数低频跨导（互导）gm：反映了栅源电压对漏极电流的控制才能，且与工作点有关，是转移特性曲线上过Q点切线的斜率。

在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。

反向也是可以通的，当MOS管导通，D和S端就相当于一个电阻。可以参考用MOS搭的直流电压防接反电路，可以看出导通方向是S到D，不是D到S。

mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。

三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V；锗管加0.2V。

P沟道的，本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的。

我说的是集成电路设计。综上所述，NPN你可以那么用，但是要注意对性能的影响。也取决于你的工作频率。如果你对开关导通电阻和时延不在乎，那么是可以的。对于CMOS是没问题的，假设是制作成这种对称结构的。

1、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

2、GSD分别是栅极，源极，漏极。栅极控制开关，源极载流子流入，漏极载流子流出。nmos管载流子是电子，所以一般源极接低电压，漏极接高电压。pmos管载流子是空穴，所以一般源极接高电压，漏极接低电压。

3、N沟道类型的MOS管漏极端D也是接电源正极高电位端，当栅极端的电位变高时该管导通，当栅极端的电位变低时该管截止。

mos管反向电压（mos管反向电流）