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mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。
MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。
MOS场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的。通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOS主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。
电压不同 高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。
通常耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢，也就是说其工作频率相对会低一些。
场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
一般是以200V 为分界点。低压MOS 一般用于消费类电子，以单节2V电池的保护板会用到低压线路，现在汽车充电线路板上面也会用到40-120V的MOS，封装一般已贴片为主，用量蛮大。
三极管和MOS管做开关用时可用以下两种方法来区别。工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。
理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。这就限制了电压不能无限制抬高。这是相互矛盾的情况，根据经验，一般会留出2~5倍的电压余量。
1、通常耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢，也就是说其工作频率相对会低一些。
2、耐高压的MOS管与耐低压的MOS管区别：耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
3、场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
4、一般是以200V 为分界点。低压MOS 一般用于消费类电子，以单节2V电池的保护板会用到低压线路，现在汽车充电线路板上面也会用到40-120V的MOS，封装一般已贴片为主，用量蛮大。
5、在这里应用中，使用的是低压MOS管。低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。
1、你应该要问一下是什么参数之类的，这样好找一点，如电压，封装之类的，要不然不好找，像我们就是用AON6400 这个，30V 85A的，或者你直接问一下天亿电子，看他们有资料相关资料发给你。
2、ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。
3、这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。
4、栅极击穿，一般由于栅极电压受外界或驱动电路损坏超过允许最高电压以及静电损坏这些。而如果场效应管的质量不过关，就容易出现以上这些情况，从而把电机烧毁。FHP4410低压MOS管为N沟道沟槽工艺MOS管，内阻小，抗过电流能力好。
5、低压大电流大功率mos管，按型号网上可以买到，主要修这个费劲还不赚钱。
结型场效应管需要加反向电压使两边的pn结的耗尽层变宽从而改变导电沟道的宽度使其介于预夹断与夹断之间的区域，即恒流区。
实际使用的时候，要想使其可靠截止，尽可能将VGS保持0或反向电压，即N沟道，VGS≤0V，P沟道≥0V。
反向电压！N沟道结型场效应管工作时，需要在栅-源极间加一负电压(vGS＜0)，使栅-源极间的P+N结反偏，栅极电流iG≈0，场效应管呈现很高的输入电阻(高达108W左右)。
一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。
能够保证阴极发射的热电子不会轻易到达阳极，只有穿过栅极并且动能足够大的电子才能克服这个电场到达阳极。如果具有较大的能量就能冲过反向电场而达到极板形成电流，被微电流计检测出来。
1、一般是以200V 为分界点。低压MOS 一般用于消费类电子，以单节2V电池的保护板会用到低压线路，现在汽车充电线路板上面也会用到40-120V的MOS，封装一般已贴片为主，用量蛮大。
2、开关电源，电动马达、照明调光等驱动电路中。在这里应用中，使用的是低压MOS管。低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。
3、场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
4、又因栅极为金属铝，故又称为MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor）。它的栅-源间电阻比结型效应管大得多，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时工艺简单，而广泛应用于大规模和超大规模集成电路之中。
5、通常耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢，也就是说其工作频率相对会低一些。
6、都是MOS，大多用于开关作用 高阀值的适合高电压PWM驱动，比如10V以上的；低阀值的适合低电压PWM驱动，比如5V左右的。
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