mos管反向电流（mos管反向电流和反向电压保护区别）

发布时间：2023-07-14

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MOS管截止时，电流会从体二极管流过，但是这个电流的值已经非常小了，可以忽略不计。体二极管，又叫寄生二极管，它是由生产工艺造成的，大功率 MOS 管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。

MOS管内部寄生二极管不可以防止MOS被击穿，因其并不起续流作用。MOS管是在先导通然后关断时承受反向电压，此时MOS体内寄生二极管也承受反向电压。续流二极管是加在原图MOS管漏极与地之间，正端接地。

当输入电压大于3V时，一部分电流从上往下流经二极管，一部分电流流入右边负载（本图没有这部分）。

N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。

从而避免MOS管被烧坏。要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G，S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C，故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。

反过来流动也是可以的。对于普通水平导电的MOSFET，D极与S极是可以互换的，没有“必须”一说。对于V-MOSFET，因为存在反向的底村寄生二极管，D、S不再对称，反向电流可以不受栅极电压控制，通过二极管继续流通。

1、在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。

2、可以流动，不会烧管。是否烧管决定于电流产生的功率。如果是VMOS管直接存在反向导通的寄生二极管，反向电流可以畅通无阻。

3、现在的MOSFET大部分（我听说过的）有体二极管，在N沟道管子上即阴极接D阳极接S的二极管，P沟道反之。导通后电流可以从两个方向在D-S间通过。

4、反过来流动也是可以的。对于普通水平导电的MOSFET，D极与S极是可以互换的，没有“必须”一说。对于V-MOSFET，因为存在反向的底村寄生二极管，D、S不再对称，反向电流可以不受栅极电压控制，通过二极管继续流通。

5、譬如可控硅，在正向电压时，它能够进行开关工作（存在正向阻断电压，有两个状态）；而在反向电压时，通过的反向电流很小，即是阻断的，不能工作。

1、栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。

2、我在这里告诉你看不懂的怎么回事：二只MOSFET管其实内部是带有二极管的，你把二只二极管补上，那你就看得明明白白了。二极管的接法是D端负极S端正极。

3、mos场效应管图形符号的箭头也是表示电流反向的，mos场效应管有P型沟道和N型沟道两种。

4、那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。因为对于MOS管来说，管内的衬底在制造时被连接到了S端，S端已经被确定了，而DS端无法互换，但是DS间的电流方向却可以是双向的。

mos管反向电流（mos管反向电流和反向电压保护区别）