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三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
区别：载流子：三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
根据开关频率选择 三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数，如果是用在高频电路中必须考虑开关管的响应时间是否满足使用条件。
三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。
我们在做电路设计中三极管和mos管做开关用时候有什么区别 工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。
如果你用的是普通51单片机，建议你用PNP的三极管，因为单片机灌电流能力比较强，一般可达20mA，而拉电流通常只有几十微安，所以设计成灌电流比较好，我常用2N5401的PNP三极管。
三极管的速度快。一般说开关时间指截止到饱和导通互相转换的时间，BJT因为载流子的问题，无法快速截止，就是从饱和导通到截止的时间过长。
区别：载流子：三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
三极管是电流驱动型；MOS是电压驱动型；三极管便宜，mos管贵。三极管损耗大。mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
1、mos管叫场效应管，mos管和三极管不能直接代换，因它们的工作机理不一样。mos管是电压控制器件而三极管是电流控制器件。
2、mos管也是三极管。我们常说的三极管其实是BJT它是电流型控制器件，用基射电流控制集射电流。他们的关系是 Ice（集射电流）=βIbe（基射电流）。
3、MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
1、MOS管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。控制原理不一样，MOS管不能代替三极管。当MOS管有电流输入时，MOS管内部会对电流进行锁存，与至于电流不断增大，会烧掉MOS管。可控硅里的三极管也一样，不能用MOS代替。
2、MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。 三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。 作用不同 MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。
3、mos管也是三极管。我们常说的三极管其实是BJT它是电流型控制器件，用基射电流控制集射电流。他们的关系是 Ice（集射电流）=βIbe（基射电流）。
主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
速度：MOS管开关速度不高，三极管开关速度高 工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制 阻抗：三极管输入阻抗小，MOS管输入阻抗大。频率特性：MOS管的频率特性不如三极管。
工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制， 成本问题：三极管便宜，mos管贵。 功耗问题：三极管损耗大。 驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
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