pfcmos管选型（p型mos管工作原理）

发布时间：2023-07-14

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1、AOD442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴片 AOD442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴片 AOD444 60V，12A，N 高压板MOS管贴片 AOP600 内含P、N沟道各1，30V 5A、30V 5A。

2、有100V，200V，300V，400V，500V，600V的电压。

3、GT3401 GT2305 GT3401 沟道是半导体中由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层。

4、第一个：全型号是IRFR5305， P沟道MOS，封装是TO-252，厂家是IR，脚位是GDS，参数是31A 55V.第二个不清楚，估计是Ni沟道MOS 20A600V GDS脚位，这个是猜的。

5、如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

6、IRFP250N、FQP27P06和IRFB4310Z等。IRFP250N：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点，在冷焊机中应用广泛。

pfcmos管选型（p型mos管工作原理）

1、. 选择MOSFET的耐压 MOSFET的耐压，一般根据负载的类型来考虑余量。比如是纯阻性负载，开关频率很低，那么余量可以小一些。如果是感性负载，或者是开关频率比较高，选择工作电流选择工作电流，许多工程师都在这里踩过大坑。

2、mos管耐压值选择具体如下：MOSFET的耐压，一般根据负载的类型来考虑余量。如果是纯阻性负载，开关频率很低，那么余量可以小一些。

3、选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定，并根据经验留出足够的电压余量。理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。

4、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

GT3401 GT2305 GT3401 沟道是半导体中由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层。

TO220的有IRZ44/60N06，还有一些性价比高的国产MOS管。

海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。

1、三极管的集电极C和发射极E之间所能承受的最大电压参数为V(BR)CEO，工作时CE之间的电压不能超过规定的数值，否则三极管会永久性损坏，以9013为例VCEO为25V，即CE之间最大不能超过25V。

2、三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。

3、如果你用的是普通51单片机，建议你用PNP的三极管，因为单片机灌电流能力比较强，一般可达20mA，而拉电流通常只有几十微安，所以设计成灌电流比较好，我常用2N5401的PNP三极管。

4、mos导通电压低，控制方便（电压驱动），功耗低。

5、V时，功耗就大于0.5W 以SOT-23的体积如何能承受0.5W以上？用MOS管就不同了，MOS完全导通时压降可以低至0.02V。而三极管的CE压降不是自身决定的，是VCC-负载电压。只要三极管一工作在线性放大区，立即挂了。