二极管烧坏的原因（二极管烧毁的原因）

发布时间：2023-07-14

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耐高压的MOS管与耐低压的MOS管区别：耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

电压指标只可以高的替代低的，等于就是你不可以在你使用2n60的时候再去选择2n50，如果你选2n65来替代就是一个好的选择。

v相对的耐压从数据上看就比600v的mos管要好。只要你们公司不考虑成本的因素，就大可选择杰瑞特650v的mos管他们好像是从晶圆到mos管成品都有做，希望可以帮到你。望采纳。

降低成本。在高压mos漂移区的介绍中可以了解道，该区是用以解决现有技术存在的工艺成本高的技术问题，以降低工艺成本的。高压指较高的电压。

封装一般已贴片为主，用量蛮大。高压MOS 一般以500V 600V 650V(这个电压值的比较常规）700V 800V ，现在超结MOS也称COOLMOS的1000V 1200V 1600V，也已经常规化。

二极管烧坏的原因（二极管烧毁的原因）

二极管损坏的原因通常有三种：\x0d\x0a使用电压过高，超过二极管的反向击穿电压，被击穿。\x0d\x0a电流过大，通过二极管的电流长时间超过其额定电流，过热烧毁。

有以下三个比较明显的原因：定位顶针过高，使电路板的位置过高，二极管在贴装时被挤压；贴片机编程时，二极管的Z轴坐标不正确；贴装头的吸嘴弹簧被卡死。

二极管耐压不够，检查你电压与二极管耐压（反向击穿电压）。二极管电流不够，检查二极管额定电流（正向整流电流）。工作频率，检查二极管响应时间（恢复时间、频率）是否达到电源频率要求。

防雷、过电压保护措施不力。二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。

1、整流二极管规格型号不符。设备安装或制造质量不过关。运行条件恶劣。运行管理欠佳。整流二极管安全裕量偏小。防雷、过电压保护措施不力。

2、有以下三个比较明显的原因：定位顶针过高，使电路板的位置过高，二极管在贴装时被挤压；贴片机编程时，二极管的Z轴坐标不正确；贴装头的吸嘴弹簧被卡死。

3、二极管损坏的原因通常有三种：\x0d\x0a使用电压过高，超过二极管的反向击穿电压，被击穿。\x0d\x0a电流过大，通过二极管的电流长时间超过其额定电流，过热烧毁。

4、整流二极管规格型号不符设备安装或制造质量不过关。运行条件恶劣。运行管理欠佳。整流二极管安全裕量偏小。防雷、过电压保护措施不力。

5、防雷、过电压保护措施不力。整流装置末设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏整流二极管。运行条件恶劣。