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1、MOS管的4个工作区,你说的不是很确切。应该是可变电阻区,饱和区,击穿区,夹断区。开关状态工作在可变电阻区(此区相当于饱和导通)和夹断区(此区相当于截止)。放大状态工作在饱和区。
2、可以。如果要工作在开关状态,就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。
3、干吗这么关注这些名词呢?Vgs和Id有一定的曲线关系,当MOS管可以驱动的电流大于负载需要的电流,电流不再增加,就是饱和了。就好比三极管的Ic和Ibe有比例关系。
4、静态特性 MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
1、G:gate栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。
2、MOS管三个极,分别是栅极(G)源极(S)和漏极(D)。MOS器件是电压控制型器件,用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区:NMOS管的如果栅压小于阈值电压,MOS管相当于两个背靠背的二极管,不导通。
3、D级是漏极,相当于三级管的集电极,S是源级,相当于三级管的发射级。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
对于需要较大输出电流的电路,可以使用n沟道增强型MOS管来满足需要。
nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生电流的,一般NMOS的源极接衬底,共同接到地,漏极到源极加上正电压,电子从源极向漏极流动,我们取电流的方向和电子流动的方向相反,所以电流是漏极流到源极。
栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样。
源极和衬底连接是MOS管的一种用法。两者相连时相当于pn结(衬底-源)上接零电压,pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡,pn结上总电流为零。 栅源不加电压时,沟道不开启,不会有漏源电流。
防止有电流从衬底流向流向源极和导电沟道,这里是防止衬底与源极的PN结导通,导通了的话,就会有电流从衬底的低掺杂的P型硅片流向源极的高掺杂N+区。
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。
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