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1、外光电效应。在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。基于该效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应。在光线作用下能使物体电阻率改变的称为内光电效应，又称光电导效应。
2、光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。
3、外光电效应：指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。内光电效应：指在光的照射下，材料的电阻率发生改变的现象。
光电效应是赫兹发现的。光电现象由德国物理学家赫兹于1887年发现，而正确的解释为爱因斯坦所提出。科学家们在研究光电效应的过程中，物理学者对光子的量子性质有了更加深入的了解，这对波粒二象性概念的提出有重大影响。
年，德国物理学家爱因斯坦在他的博士论文中首次提出了光电效应这一发现。在当时，光电效应对于物理学家们来说是一个非常有挑战性的问题。
菲利普·莱纳德用实验发现了光电效应的重要规律。 阿尔伯特·爱因斯坦则提出了正确的理论机制。
光电现象由德国物理学家赫兹于1887年发现，而正确的解释为爱因斯坦所提出。科学家们在研究光电效应的过程中，物理学者对光子的量子性质有了更加深入的了解，这对波粒二象性概念的提出有重大影响。
1、。光电导效应对应的器件是光电导探测器，包括异质结靶光电导摄像管、视像管、硅靶摄像管等；2。光生伏特效应对应的器件主要是光伏探测器，包括光电池、光电三极管等；3。
2、光电效应有外光电效应、内光电效应和光生伏特效应三种。基于外光电效应的光电元件有光电管、光电倍增管等；基于内光电效应的光电元件有光敏电阻、光敏晶体管等；基于光生伏特效应的光电元件有光电池等。
3、内光电效应中常用的器件有Photodiode，简称PD，一般叫光电二极管，还有比较常见的器件有APD。
4、外光电效应。在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。基于该效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应。在光线作用下能使物体电阻率改变的称为内光电效应，又称光电导效应。
光敏晶体管的工作原理可以通过以下步骤来概括：当光敏晶体管暴露在外界光照下时，光子会激发光敏层中的电子和空穴。电子和空穴会在光敏层和半导体晶体管之间扩散，从而改变晶体管的电子流。
内光热。在中国地质大学的测试题中可知，光敏晶体管的工作原理是基于内光热的效应。
当光线强度减弱时，电子和空穴的数量减少，电动势也就减弱，从而使得探测器和基极之间的电流减少。因此，光电三极管的输出电流会随着光线强度的变化而变化。光电三极管还有另一种称为“反向偏置”的工作方式。
目前的光电三极管是采用硅材料制作而成的。这是由于硅元件较锗元件有小得多的暗电流和较小的温度系数。硅光电三极管是用N型硅单晶做成N—P—N结构的。
其工作原理分为两个部份：一是光电转换；二是光电流放大。光电转换过程与一般光电二极管相同，在集—基PN结区内进行。
总之，光敏三极管工作原理分为两个过程：一是光敏转换；二是光敏流放大。最大特点是输出电流大，达毫安级。但响应速度比光敏二极管慢得多，温度效应也比光敏二极管大得多。
1、光电传感器的原理是通过将光强的变化转化为电信号的变化来实现控制。一般来说，光电传感器由三部分组成，分别是发射器、接收器和检测电路。
2、光电传感器原理是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。光电传感器在一般情况下，有三部分构成，它们分为：发送器、接收器和检测电路。
3、光电传感器的基本原理是物质的（电光反应）。
光也有电磁场，只是它的频率非常高，普通的电磁感应设备无法明显检测。另一方面也由于很多材料的电磁特性在可见光频波都会有很明显的不同，导致一些常见的现象在该频段无法观测到。
因为电磁波的传播是 由电场和磁场相互转换进行的。但是，用光照射闭合线圈，无法产生感生电流，说明光在传播中没有产生磁场或者电场。所以，光是具有波特性的能量子，不完全等同于电磁波。
有电场不一定有电流，有磁场不一定会使小磁针偏转。光波的波长比无线电还要短，每个光子的能量又低，当然不会引发电流和使磁针偏转，不过不能说没有电场和磁场，光的传播就是靠电场和磁场的相互转换啊。
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