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mos管做功放(mos管功率放大电路)

发布时间:2023-05-17
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双mos管连接问题。图中管子应该怎样连接,做功率放大用。

较为简单的方法是两管并联答罩扒:分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联,最好分别在栅极和漏极上串联一只小闷厅阻值的均衡电阻,如图所示。其中清昌R3、R4由漏极电流决定,使其上的压降1V左右即可。

mos管的作用

mos管的握歼盯作用:可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。可以方便地用作恒流源。可以用作电子开关。

MOS管为压控元件,只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小,常说的精典是开关作用。去掉这个控制电压经就截止。

MOS管即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此,MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路。

MOS管的特性

开关特性。MOS管是压控器件,作为开关时,NMOS只要满足VgsVgs(th)即可导通,PMOS只要满足Vgs。

开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗,导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的,导通电阻都很小。段和开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中,MOS处于恒流改汪区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法,一是缩短开关时间,二是降低开关频率。

由压控所导致的的开关特性。由于制作工艺的限制,NMOS的使用场景要远比PMOS广泛,因此在将更适合于高端驱动的PMOS替换成NMOS时便出现了问题。

在宽电压的应用场景中,栅极的控制电压很多时候是不确定的,为了保证MOS管的安全工作,很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。

MOS管功率放大器电路图的硬件电路设计

采用OP07组成的二阶带阻滤波器的阻带范围为40~60 Hz,其电路如图2所示。带阻滤波器的性能参数有中心频率ω0或f0,带宽BW和品质因数Q。Q值越高,阻带越窄,陷波效果越好。

功率放大电路往往要求其驱动负载的能力较强,从能量控制和转换的角度来看,功率放大电路与其它放大电路在本质上没有根本的区别,只是功放既不是单纯追求输出高电压,也不是单纯追求输出大电流,而是追求在电源电压确定的情况下,输出尽可能大的功率。

本电路采用两个MOS管构成橡旦的功率放大电路,其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成,其中RP2和RP3为偏置电阻,用来调节电路的静态工作点。特征频率fT放大电路上限频率fH的关系为:fT≈fhβh,系统阶跃相应的上升时间tr与放大电路上限频率的关系为:trfh=0.35。

对于OCL放大器来说,一般有:PTM≈0.2POM,其中PIM为单管的最大管耗,POM为最大不失真输出管耗梁宏扰。根据计算,并考虑到项目要求,本设计选用IRF950和IRF50来实现功率放大。 此工作可由单片机内部的10位AD转换器完成,但实验发现,单片机的10位AD芯片的处理效果不是很好。因此本设计采用了两个AD转换芯片来对负载输出的信号进行转换,并使用单片机控制计算,然后送入液晶显示其功率和效率。

AD1674是一片高速12位逐次比较型A/D转换器,该芯片内置双极性电路构成的混合集成转换器,具有外接元件少,功耗低,精度高等特点,并具有自动校零和自动极性转换功能,故只需外接少量的电阻和电容元件即可构成一个完整的A/D转换器。AD8326是TI公司推绝竖出的16位高速模数转换器,其转换速度快,线性度好,精度高。AD8326和A1674的电路连接图分别如图5和图6所示。 本电路采用12864液晶来实时显示输出的功率、直流电源供给的功率和整机效率。该液晶具有屏幕反应速度快、对比度高、功耗低等优点。可以实现友好的人机交互。为了简化电路,本设计采用串口连接。并在单片机的控制下,按照要求的格式显示接收到的数据和字符信息。图7为液晶显示电路的连接图。其中D0~D7为数据口,R/W为液晶读写信号,E是使能端。

由于本系统是低频正弦信号的功率放大,要求能测量并显示输出功率、整机效率等信息,所以要用到AD转换。AD芯片测量的交流信号,所以,测量的电压数据进行比较,以获得最大电压值,此值即为正弦信号的最大值。而要想得到正弦信号的有效值,就要对最大值进行处理,从而获得有效值。这样,就可以将电源的输出功率和供给功率,根据欧姆定律计算出其数值,并将测得的数据用液晶适时的显示出来。

因此,本系统软件实现的功能应当可以实现对正弦信号有效值的测量;同时能够通过液晶准确显示输出功率和系统供给功率和整机效率。

图8所示是本系统软件的设计流程图。

mos管做和三极管做功放哪种效率高?

效率主要还根据电路决定,D类功放效率算是高了(从能量角度说的效率),但噪声特性比较差。

如果都是乙类,晶体管处于放大状态,此时三极管的效率要比MOS管高,主要原因是三极管基极对CE电流的控制能力要比MOS管强。

所以我感觉,你的问题有点怪异,如果你单纯的追求功率角度的效率,那么主要要研究电路的组成,A类,B类,C类,D类功放这种,同时还要忍受一定量的失真和噪声。

如果你对音质有很高的要求,我觉拍模友得,还是考虑袭槐A类,AB类和B类功码凯放比较好,在这些电路中,三极管的频响特性(决定音质)要比MOS管好得多,现实中的好功放大都是三极管做的,用MOS管的极少。

MOS管做功放怎么选择

电路和三极管差不多。区别就是一个是电流驱动元件,一个是电压驱动原件。原理都差不多。作用也差不多。只是从理论上来说,MOS管线性更好一些,接近电子管里肢橘面的五极管。FET管接近电子管里面的三极管。但是历枣团这些都是理论上来说的。实际MOS管功放未必就比双极型三极管岩斗功放的声音好听。

MOS管做功放稳压好不好?LM3886好还是TDA7294更好?

两个都不好。集成功放LM3886与7294以及比较常见的1875,4766等,比之普通的家用功放的确有更好的音色与音质,也比较有“胆味”,但是比起纯甲类功放来说还是有很大的差踞。

如果楼主对声音的要求一般,只要声音大,失真不算高就行的话,TDA7294或者LM3886接为OCL电路是不错的选择,必竟价格低,而且声音也是很不错的,性价比高。

如果楼主对声音要求很高的话,那就不推荐用集成功放模块了。没什么意思。除了输出功率大之外坦皮,基本其它方面都表现平平。

楼主想烧的话就弄个100W8ohm的纯甲类末级无负反馈功放或者100W8ohm纯甲类超平直纯直流功放,这两种电路的功放都是非常不错的。我个人喜欢。

对集成稳压块的功放没必要加稳压,如果楼主非要加稳压。那稳压块的输出电流不得低于10A。否则不如不加。变压器电压太高的解决办法就是重绕一下就行,减少点次级线圈,修改变压器比设计个稳压电路简单得多,皮数也不需要花钱制PCB买元器件。而且加了稳压声音会好些,但是会耗废更多的电能。需要你的燃信首变压器功率能够承受得了。

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